[發(fā)明專利]橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610148100.8
• 申請(qǐng)日: 2016-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN105679831B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢文生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：

第一導(dǎo)電類型摻雜的漂移區(qū)，形成于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底中；

第二導(dǎo)電類型摻雜的溝道區(qū)，形成于所述半導(dǎo)體襯底中；所述漂移區(qū)由深阱組成，所述溝道區(qū)形成于所述漂移區(qū)中；

在所述漂移區(qū)中形成有第二導(dǎo)電類型摻雜的第一埋層且所述第一埋層延伸到所述溝道區(qū)的底部，所述第一埋層具有一橫向間隔，所述橫向間隔位于所述溝道區(qū)側(cè)面的所述漂移區(qū)底部且所述橫向間隔將所述溝道區(qū)的側(cè)面和所述漂移區(qū)形成的橫向結(jié)露出，在所述橫向間隔處延伸到所述溝道區(qū)底部的所述第一埋層的側(cè)面和所述漂移區(qū)形成橫向結(jié)，所述橫向間隔用于增加源漏電流的通路；

在所述橫向間隔底部的所述漂移區(qū)中形成有第二導(dǎo)電類型摻雜的第二埋層，所述第二埋層用于增加對(duì)所述橫向間隔頂部的所述漂移區(qū)的耗盡，并使所述橫向間隔頂部的所述漂移區(qū)能在漏端電壓的初始階段被充分耗盡、防止初始擊穿。

2.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述第一埋層的所述橫向間隔為5微米以上。

3.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述第二埋層的摻雜濃度為所述第一埋層的摻雜濃度的2倍～5倍。

4.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述第二埋層的兩側(cè)和所述第一埋層有橫向交疊。

5.如權(quán)利要求4所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述第二埋層的每一側(cè)和所述第一埋層的橫向交疊小于1微米。

6.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：所述第一埋層和所述第二埋層都采用離子注入加快速熱退火激活實(shí)現(xiàn)，所述第二埋層的離子注入的能量是所述第一埋層的離子注入的能量的1.5倍，所述第二埋層的離子注入的劑量是所述第一埋層的離子注入的劑量的2倍～5倍。

7.如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型器件，第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。

8.如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于：橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型器件，第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型。

9.如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括：

形成于所述半導(dǎo)體襯底上方的多晶硅柵，所述多晶硅柵和所述半導(dǎo)體襯底表面隔離有柵介質(zhì)層，在橫向上所述多晶硅柵從所述溝道區(qū)上方延伸到所述漂移區(qū)上方，被所述多晶硅柵覆蓋的所述溝道區(qū)表面用于形成溝道；所述多晶硅柵的第一側(cè)面位于所述溝道區(qū)上方、第二側(cè)面位于所述漂移區(qū)上方；

第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)形成于所述溝道區(qū)中并和所述多晶硅柵的第一側(cè)面自對(duì)準(zhǔn)，所述漏區(qū)形成于所述漂移區(qū)中。

10.如權(quán)利要求9所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于,所述橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括：

第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s的溝道引出區(qū)，所述溝道引出區(qū)形成于所述溝道區(qū)中并用于將所述溝道區(qū)引出，所述溝道引出區(qū)和所述源區(qū)橫向接觸。

11.如權(quán)利要求9所述的橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于,所述橫向擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括：

場(chǎng)氧，位于所述溝道區(qū)和所述漏區(qū)之間的所述漂移區(qū)上方，所述場(chǎng)氧的第二側(cè)和所述漏區(qū)橫向接觸，所述場(chǎng)氧的第一側(cè)和所述溝道區(qū)相隔一段距離；所述多晶硅柵延伸到所述場(chǎng)氧上方。