[發(fā)明專利]一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610147940.2
• 申請日: 2016-03-15
• 公開（公告）號: CN105739131B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張新宇;信釗煒;魏東;吳勇;袁瑩;彭莎;張波;王海衛(wèi);謝長生
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 廖盈春

1.一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，包括陰極，陽極陣列，以及設(shè)置在所述陰極和所述陽極陣列間的介電層；所述陽極陣列由M×N元陣列分布的陽極單元構(gòu)成，所述陽極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個子電極構(gòu)成，所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為M×N元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，所述陽極單元與所述電調(diào)光反射率單元一一對應(yīng)，構(gòu)成所述電調(diào)光反射率單元的陽極，所有電調(diào)光反射率單元共用所述陰極；通過所述陽極單元和所述陰極對所述電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨立加電操作，通過調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號，實現(xiàn)可尋址電調(diào)光反射率的控光操作。

2.如權(quán)利要求1所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，通過調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號的幅度，調(diào)變所述陰極上的陣列化電子的分布密度及其分布形態(tài)，進而調(diào)節(jié)所述電調(diào)光反射率單元的反射率；通過調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號的占空比，控制調(diào)變光反射率的時間。

3.如權(quán)利要求1所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，通過可尋址選擇、配置或更換加電的電調(diào)光反射率單元，對執(zhí)行光反射率調(diào)變操控的所述陰極的對應(yīng)區(qū)域進行定位或移位；通過對所述電調(diào)光反射率單元并行加載多路獨立的電驅(qū)控信號，形成特定的可調(diào)節(jié)的光反射能流形態(tài)。

4.如權(quán)利要求1所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，在斷電態(tài)下，所述陰極上能自由移動的電子的分布密度相同，所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜呈現(xiàn)本征的高光反射率。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，定義電極單元填充系數(shù)為構(gòu)成電極單元的子電極面積占電極單元的受光面積的比率，所述電極單元填充系數(shù)在90％以上。

6.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述子電極為圓形、正方形或長方形的石墨烯膜結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述子電極的排列方式為同心圓形、直線形或矩形陣列形式。

8.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述介電層和所述陽極陣列間還設(shè)有第一電隔離膜，所述介電層和所述陰極間還設(shè)有第二電隔離膜。

9.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述陽極陣列遠離所述介電層的一面還設(shè)有第一保護膜，所述陰極遠離所述介電層的一面還設(shè)有第二保護膜。

10.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，還包括陽極電引線微焊區(qū)和陰極電引線微焊區(qū)，所述陽極電引線微焊區(qū)設(shè)置在所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜的靠近所述陽極陣列的一側(cè)，用于接入所述陽極單元的金屬電引線，所述陰極電引線微焊區(qū)設(shè)置在所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜的靠近所述陰極的一側(cè)，用于接入所述陰極的金屬電引線。