[發(fā)明專(zhuān)利]一種高精度電阻布局方法及高精度電阻有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610147252.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105655332B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁超 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/02 |
| 代理公司: | 西安智邦專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 張倩 |
| 地址: | 710055 陜西省西安*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高精度 電阻 布局 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種高精度電阻布局方法及高精度電阻,包括2N個(gè)單位電阻,其中N個(gè)單位電阻橫向放置,另一半N個(gè)單位電阻豎向放置。本發(fā)明解決了現(xiàn)有的電阻布局方式阻值偏差比較大的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明方法將單位電阻按照不同的方式和方向布局?jǐn)[放,降低因?yàn)樯a(chǎn)過(guò)程中尺寸偏差而造成的電阻絕對(duì)值偏差,提高電阻精度,使系統(tǒng)性能更穩(wěn)定。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片領(lǐng)域,尤其是一種高精度電阻布局方法及高精度電阻。
背景技術(shù)
參見(jiàn)圖1,普通的芯片內(nèi)電阻布局方法。
在一般情況下,芯片內(nèi)電阻為了匹配的要求,會(huì)按照同樣的方向放置所有單位電阻R,但實(shí)際在芯片生產(chǎn)過(guò)程中因?yàn)榄h(huán)境不是理想環(huán)境,會(huì)產(chǎn)生各種各樣的偏差,最終芯片中的電阻阻值也會(huì)產(chǎn)生一定的偏差,其中一項(xiàng)偏差是由于生產(chǎn)過(guò)程中,光照會(huì)存在衍射,于是電阻器件的寬度W和長(zhǎng)度L會(huì)有偏差。這種偏差會(huì)直接影響電阻的絕對(duì)值。對(duì)電阻絕對(duì)值要求較高的模塊會(huì)產(chǎn)生影響。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有的電阻布局方式阻值偏差比較大的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種高精度電阻布局方法及高精度電阻。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:
一種高精度電阻布局方法,其特殊之處在于:將2N個(gè)單位電阻平均分成兩半,其中N個(gè)單位電阻橫向放置,另一半N個(gè)單位電阻豎向放置。
將N個(gè)單位電阻橫向放置,將其余N個(gè)單位電阻豎向放置,形成一字型布局。
依次將N/2個(gè)單位電阻橫向放置,N/2個(gè)單位電阻豎向放置;N/2個(gè)單位電阻橫向放置,N/2個(gè)單位電阻豎向放置,形成回字型布局。
一種高精度電阻,其特殊之處在于:包括2N個(gè)單位電阻,其中N個(gè)單位電阻橫向放置,另一半N個(gè)單位電阻豎向放置。
N個(gè)單位電阻依次相連橫向放置,其余N個(gè)單位電阻依次相連豎向放置,橫向放置中的位于第一位置的單位電阻為輸入端,橫向放置中的位于最后一個(gè)位置的單位電阻與豎向放置中位于第一位置的單位電阻相連,豎向放置中的位于最后一個(gè)位置的單位電阻為輸出端,形成一字型布局。
2N個(gè)單位電阻平均分成四組,每組有N/2個(gè)單位電阻,第一組中的N/2個(gè)單位電阻橫向放置,第二組中的N/2個(gè)單位電阻豎向放置,第三組中N/2個(gè)單位電阻橫向放置,第四組中的N/2個(gè)單位電阻豎向放置,四組依次連接形成一個(gè)回字。
2N個(gè)單位電阻平均分成六組,每組有N/3個(gè)單位電阻,從輸入端到輸出端六組連接方式如下:第一組中的N/3個(gè)單位電阻豎向放置,第二組中的N/3個(gè)單位電阻豎向放置,第一組中的所有單位電阻的一端分別與第二組中的所有電阻的一端連接,第一組中的位于首位的單位電阻的一端為輸入端,第二組中的所有電阻的另一端均相連;
第三組中的N/3個(gè)單位電阻橫向放置,第四組中的N/3個(gè)單位電阻橫向放置,第三組中的所有單位電阻的一端分別與第四組中的所有電阻的一端連接,第四組中的所有電阻的另一端均相連,第三組中位于首位的單位電阻的另一端與第一組中位于末位的單位電阻的另一端連接;
第五組中的N/3個(gè)單位電阻豎向放置,第六組中的N/3個(gè)單位電阻橫向放置,第五組中的所有單位電阻的一端均連接,第六組中的所有單位電阻的一端均連接,第五組中位于末位的單位電阻的另一端與第六組中位于首位的單位電阻的另一端連接,第六組中位于末位的單位電阻的另一端為輸出端;六組依次連接形成一個(gè)人字。
2N個(gè)單位電阻分成三組,第一組中N個(gè)單位電阻橫向排列,第二組中的N/2個(gè)單位電阻豎向放置,第三組中的N/2個(gè)單位電阻豎向放置,
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610147252.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





