[發明專利]存儲裝置與其操作方法

有效

• 申請號: 201610146048.2
• 申請日: 2016-03-15
• 公開（公告）號: CN106875973B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 龍翔瀾;何信義
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 喬東峰

1.一種存儲裝置，包括：

一可編程電阻式存儲單元陣列；

一差動放大器，耦接至該可編程電阻式存儲單元陣列，其中該差動放大器感測一位線上的一第一電壓及一參考電壓之間的一電壓差，并響應于該電壓差而提供一反饋信號，其中該位線耦接至該可編程電阻式存儲單元陣列中的一存儲單元，其中，該存儲單元包括一存儲元件，及串聯至該存儲元件的一存取裝置，且該存取裝置包含一柵極端連接至一字線；

一電流電路，耦接至該位線，以提供一編程電流至該存儲單元所耦接的該位線；以及

一控制電路，耦接至該可編程電阻式存儲單元陣列及該差動放大器，執行一編程操作，以改變該存儲單元的一第一電阻值狀態為一第二電阻值狀態，該編程操作包含：針對該參考電壓選擇相關于該第二電阻值狀態的一電壓電平；施加具有一脈沖形狀的一字線脈沖至該字線；導通該電流電路以施加該編程電流的一編程脈沖至該存儲單元；及致能該差動放大器；

其中該電流電路在該字線脈沖終止前響應于該反饋信號而截止該編程電流。

2.如權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：

該第二電阻值狀態借助在該存儲單元中的一存儲元件的主動區引致一結晶相而建立；

該存儲單元包含一可編程電阻存儲材料；以及

該存儲單元具有對應的多個電阻值狀態，包括該第一電阻值狀態及該第二電阻值狀態，且該參考電壓具有相對于該些電阻值狀態的對應多個電壓電平。

3.如權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于，還包含：

一反饋路徑，位于提供該反饋信號的該差動放大器的一輸出至該電流電路之間，其中該反饋信號流經該反饋路徑；及

一開關，與該反饋路徑串聯連接，以控制該反饋信號。

4.一種存儲裝置，包括：

一可編程電阻式存儲單元陣列；

一差動放大器，耦接至該可編程電阻式存儲單元陣列，其中該差動放大器感測一位線上的一第一電壓及一參考電壓之間的一電壓差，并響應于該電壓差而提供一反饋信號，其中該位線耦接至該可編程電阻式存儲單元陣列中的一存儲單元；

一電流電路，耦接至該位線，以提供一編程電流至該存儲單元所耦接的該位線，該電流電路包含：

一第一晶體管，具有一第一端連接至一電源供應節點，一第二端連接至該位線，及一柵極端連接至一控制信號；

一第二晶體管，具有一第一端連接至該電源供應節點，一第二端連接至該控制信號，及一柵極端連接至該控制信號；以及

一第三晶體管，具有一第一端連接至一參考節點，一第二端連接至該控制信號，及一柵極端連接至該反饋信號；

其中該電源供應節點位于一第一電壓電位，且該參考節點位于低于該第一電壓電位的一第二電壓電位；以及

一控制電路，耦接至該可編程電阻式存儲單元陣列及該差動放大器，執行一編程操作，以改變該存儲單元的一第一電阻值狀態為一第二電阻值狀態，該編程操作包含：針對該參考電壓選擇相關于該第二電阻值狀態的一電壓電平；導通該電流電路以施加該編程電流的一編程脈沖至該存儲單元；及致能該差動放大器；

其中該電流電路響應于該反饋信號而截止該編程電流。

5.如權利要求4所述的存儲裝置，其特征在于：

該存儲單元包括：一存儲元件，及串聯至該存儲元件的一存取裝置；以及

該第二電阻值狀態借助在該存儲單元中的一存儲元件的主動區引致一結晶相而被建立。

6.如權利要求5所述的存儲裝置，其特征在于：

該存儲元件包含一可編程電阻存儲材料；以及

該存取裝置包含一第一端連接至該存儲元件、一第二端連接至該參考節點、及一柵極端連接至一字線。

7.如權利要求4所述的存儲裝置，其特征在于：該存儲單元具有對應的多個電阻值狀態，包括該第一電阻值狀態及該第二電阻值狀態，且該參考電壓具有相對于該些電阻值狀態的對應多個電壓電平。