[發(fā)明專利]用于交叉點內(nèi)存陣列用的電阻開關(guān)與選擇器共存器件及制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610144023.9 | 申請日： | 2016-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN105720194A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐新桂;張?zhí)旄?/a>;蔣艷平;劉秋香 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 廣東廣信君達律師事務(wù)所 44329 | 代理人： | 張燕玲;楊曉松 |
| 地址： | 510006 廣東省廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 交叉點 內(nèi)存 陣列 電阻 開關(guān) 選擇器 共存 器件 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種用于交叉點內(nèi)存陣列用的電阻開關(guān)與選擇器共存器件的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
（1）選取一片雙面拋光的SrTiO
（2）在清洗干凈的SrTiO
（3）Ag電極燒好后，采用直流濺射噴金的方法在上表面未覆蓋Ag漿的區(qū)域鍍上直徑為0.2mm的頂點電極Au，得到用于交叉點內(nèi)存陣列用的電阻開關(guān)與選擇器共存器件；
所得共存器件由下到上依次包括底電極層、SrTiO
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述SrTiO
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