[發(fā)明專利]基于激光誘導瞬態(tài)小孔探針的超分辨光學成像方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610142825.6 | 申請日： | 2016-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN105607277A | 公開（公告）日： | 2016-05-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 丁晨良;魏勁松 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | G02B27/58 | 分類號： | G02B27/58 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 張澤純;張寧展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 激光 誘導 瞬態(tài) 小孔 探針 分辨 光學 成像 方法 | ||
1.一種基于激光誘導瞬態(tài)小孔探針的超分辨光學成像方法，其特征在于該方法 包括以下步驟：
a)在蓋玻片上用磁控濺射的方法鍍上一層非線性材料薄膜；
b)將上述鍍完薄膜的蓋玻片緊貼于待測樣品表面，且鍍有薄膜的一面緊挨著樣 品；
c)在掃描顯微鏡系統(tǒng)中對樣品進行掃描成像。
2.一種基于激光誘導瞬態(tài)小孔探針的超分辨光學成像方法，其特征在于該方法 包括以下步驟：
a)在樣品上用磁控濺射的方法鍍上一層非線性材料薄膜；
b)在掃描顯微鏡系統(tǒng)中對樣品進行掃描成像。
3.根據權利要求1或2所述的基于激光誘導瞬態(tài)小孔探針的超分辨光學成像方 法，其特征在于所述的步驟a)中的非線性材料是Sb、Te、Sb2Te3、Sb70Te30、InSb、 Ge2Sb2Te5、或AgInSbTe材料。
4.根據權利要求1或2所述的基于激光誘導瞬態(tài)小孔探針的超分辨光學成像方 法，其特征在于所述的步驟a)中的非線性材料的薄膜厚度在20nm到50nm之間。
5.根據權利要求1或2所述的基于激光誘導瞬態(tài)小孔探針的超分辨光學成像方 法，其特征在于所述的步驟c)中的掃描顯微系統(tǒng)采用的光波長為405nm或者658nm。
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