[發明專利]冷卻腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201610142784.0
• 申請日: 2016-03-14
• 公開（公告）號: CN107195567B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 王桐;武學偉;張軍;董博宇;郭冰亮;王軍;張鶴南;徐寶崗;馬懷超;劉紹輝;趙康寧;耿玉潔;王慶軒;崔亞欣
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/673
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種冷卻腔室，在所述冷卻腔室的腔室壁內設置有第一冷卻通道，通過向所述第一冷卻通道內通入冷卻媒介，來冷卻所述腔室壁；并且，在所述冷卻腔室內設置有用于承載托盤的托架，所述托盤用于承載被加工工件，其特征在于，在所述冷卻腔室的腔室壁的至少部分內表面形成有黑色氧化層；

在所述托架的底部設置有升降機構，用于驅動所述托架上升或下降；

所述托架包括至少兩層支撐部，所述至少兩層支撐部沿豎直方向間隔設置，每層支撐部用于支撐一個所述托盤；

在所述冷卻腔室內，且位于所述托架的下方還設置有冷卻盤，所述冷卻盤的上表面高于所述腔室壁的底壁的上表面，以減小所述托盤的熱輻射距離；在所述冷卻盤的上表面形成有黑色氧化層。

2.根據權利要求1所述的冷卻腔室，其特征在于，制作所述冷卻腔室的腔室壁的材料包括鋁；

所述黑色氧化層采用對所述腔室壁的至少部分內表面進行黑色陽極氧化處理的方式形成。

3.根據權利要求1所述的冷卻腔室，其特征在于，在所述冷卻盤內設置有第二冷卻通道，通過向所述第二冷卻通道內通入冷卻媒介，來冷卻所述冷卻盤。

4.根據權利要求3所述的冷卻腔室，其特征在于，在所述腔室壁的底壁上設置有沿其厚度貫穿的通孔；

在所述腔室壁的底壁的下表面設置有安裝法蘭，所述安裝法蘭封閉所述通孔；并且，在所述安裝法蘭上，且位于所述通孔內設置有安裝塊，所述冷卻盤固定在所述安裝塊的頂部。

5.根據權利要求4所述的冷卻腔室，其特征在于，在所述安裝法蘭的底部設置有第一接入塊，在所述第一接入塊內設置有入流接口和出流接口，二者與所述第二冷卻通道連接，分別用于輸入和輸出所述第二冷卻通道內的冷卻媒介。

6.根據權利要求1所述的冷卻腔室，其特征在于，所述冷卻盤與所述腔室壁的底壁相接觸。

7.根據權利要求1所述的冷卻腔室，其特征在于，制作所述冷卻盤的材料包括鋁；

所述黑色氧化層采用對所述冷卻盤的上表面進行黑色陽極氧化處理的方式形成。

8.根據權利要求1所述的冷卻腔室，其特征在于，在所述冷卻腔室的腔室壁上分別設置有進氣通道和排氣通道，其中，

所述進氣通道用于向所述冷卻腔室的內部輸送冷卻氣體；

所述排氣通道用于排出所述冷卻腔室內的冷卻氣體。

9.根據權利要求1所述的冷卻腔室，其特征在于，所述第一冷卻通道設置在所述腔室壁的側壁和底壁內；

在所述腔室壁的頂壁內設置有第三冷卻通道，通過向所述第三冷卻通道內通入冷卻媒介，來冷卻所述頂壁。

10.根據權利要求9所述的冷卻腔室，其特征在于，在所述腔室壁的底壁上設置有第二接入塊，在所述第二接入塊內設置有入流接口和出流接口，二者與所述第一冷卻通道連接，分別用于輸入和輸出所述第一冷卻通道內的冷卻媒介；

在所述腔室壁的頂壁上設置有第三接入塊，在所述第三接入塊內設置有入流接口和出流接口，二者與所述第三冷卻通道連接，分別用于輸入和輸出所述第三冷卻通道內的冷卻媒介。

11.根據權利要求1所述的冷卻腔室，其特征在于，所述冷卻媒介包括冷卻液或者冷卻氣體。

12.一種半導體加工設備，其包括工藝腔室、傳輸腔室和冷卻腔室，其中，在所述傳輸腔室內設置有機械手，用以將完成工藝的托盤自所述工藝腔室內傳出，并傳入所述冷卻腔室內，其特征在于，所述冷卻腔室包括權利要求1-11任意一項所述的冷卻腔室。