[發明專利]一種含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201610140852.X
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN105655488B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 陳瑜;周人杰;薛松;姚鎮章;劉世博
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司12002
• 代理人: 劉書元

1.一種含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池，由下至上依次包括層疊的導電玻璃、致密層、多孔層、具有鈣鈦礦結構的吸光層、空穴傳輸層、碳對電極，其特征在于：還包括設置在碳電極上的二茂鐵層，所述的二茂鐵層是旋涂一定濃度二茂鐵的導電玻璃；

其中所述的二茂鐵層中二茂鐵濃度范圍在5～70mg/mL之間；

所述的二茂鐵層壓制在碳電極上，二茂鐵層的面積小于或等于碳對電極的面積。

2.一種含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括

a、二茂鐵層的制備步驟，首先配制一定濃度的二茂鐵溶液，在二茂鐵中加入有機溶劑，攪拌至完全溶解，然后將配制好的二茂鐵溶液滴至導電玻璃上使用旋涂儀旋涂，旋涂速度在1000r/min～4000r/min之間，二茂鐵均勻成膜；

b、含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池的制備步驟，首先，提供具有透明導電層FTO薄膜的導電玻璃，在FTO導電玻璃上旋涂TiO₂致密層，然后旋涂TiO₂多孔層，之后經一步旋涂法制備具有鈣鈦礦結構的吸光層，將配制好的空穴傳輸材料Spiro-OMeTAD溶液旋涂制備成空穴傳輸層，再將由導電納米碳粉溶劑分散后滴涂法制備而成的碳對電極置于空穴傳輸層之上，最后將步驟a中制備好的二茂鐵層壓制在碳對電極上，構成回路，得到含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池。

3.根據權利要求2所述的含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟a中的旋涂速度為1500r/min。

4.根據權利要求2所述的含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟a中所述的有機溶劑為除水有機溶劑，選自氯苯、甲苯、石油醚或二氯甲烷中的一種。

5.根據權利要求2所述的含二茂鐵層的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述的二茂鐵層的面積小于或等于碳對電極的面積。