[發明專利]一種石墨烯表面氣體分子吸附過程的監測方法有效
| 申請號: | 201610137360.5 | 申請日: | 2016-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN105762090B | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發明(設計)人: | 賈越輝;彭沛;王紫東;田仲政;任黎明;傅云義 | 申請(專利權)人: | 北京大學 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L29/16 |
| 代理公司: | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 賈曉玲 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 表面 氣體 分子 吸附 過程 監測 方法 | ||
1.一種石墨烯表面氣體分子吸附過程的監測方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)制備石墨烯器件樣品,該石墨烯器件包括源漏金屬電極和石墨烯溝道;
(2)將石墨烯器件樣品放置于拉曼光譜系統光學顯微鏡的激光出射口下方,調整石墨烯器件樣品位置到顯微鏡視野內,調節顯微鏡焦距,并聚焦到石墨烯溝道表面;
(3)用低能量的聚焦激光束對準石墨烯溝道表面,此時激光強度應在3mW以下,以保證激光斑很小,定位精確;
(4)用高能量的激光束照射或掃描石墨烯樣品表面,控制激光強度和時間,去除石墨烯表面的空氣、水分子,從而清潔石墨烯表面;
(5)將石墨烯樣品放到探針臺上,并利用半導體參數分析儀反復測試石墨烯器件的轉移特性曲線,直至前后兩次的轉移特征曲線無變化為止,并依此估測石墨烯從清潔表面至被分子飽和吸附過程所需的時間。
2.如權利要求1所述的石墨烯表面氣體分子吸附過程的監測方法,其特征在于,步驟(4)中高能量的激光束強度范圍為10~40mW,時間在10min至5s范圍之內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





