[發(fā)明專(zhuān)利]VDMOS器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610136946.X
• 申請(qǐng)日: 2016-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107180857B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙圣哲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/08
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 陶敏;劉芳

本發(fā)明提供了一種VDMOS器件的制作方法，包括：依次制作器件的JFET區(qū)、環(huán)區(qū)和體區(qū)；在器件表面，通過(guò)涂覆光刻膠以定義源區(qū)位置，并進(jìn)行第一次源區(qū)離子注入和驅(qū)入，形成兩個(gè)第一源區(qū)，兩個(gè)第一源區(qū)位于同一個(gè)體區(qū)內(nèi)；去除光刻膠，并進(jìn)行第二次源區(qū)離子注入和驅(qū)入，形成第二源區(qū)，第二源區(qū)的深度小于個(gè)第一源區(qū)的深度，第二源區(qū)的寬度大于兩個(gè)第一源區(qū)的間隔寬度。通過(guò)上述兩次源區(qū)離子注入工藝，在體區(qū)內(nèi)形成了結(jié)構(gòu)上連續(xù)的源區(qū)，即在兩邊的兩個(gè)源區(qū)之間的區(qū)域以及這兩個(gè)源區(qū)中靠近器件上表面的區(qū)域，還生成了一個(gè)淺層的源區(qū)，從而不存在接觸孔對(duì)偏的問(wèn)題，在保證源區(qū)電阻的同時(shí)，器件的導(dǎo)通電阻、源漏電容等性能也可以得到保證。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種VDMOS器件的制作方法。

背景技術(shù)

垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件(vertical double-diffused Metal OxideSemiconductor，簡(jiǎn)稱(chēng)VDMOS)由于具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、以及優(yōu)越的頻率特性和熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，廣泛地被應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源，汽車(chē)電子，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，高頻振蕩器等多個(gè)領(lǐng)域。

在制作VDMOS器件的過(guò)程中，涉及到源區(qū)的制作工藝，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用條形源區(qū)設(shè)計(jì)，如圖1(a)所示。此種方法的優(yōu)點(diǎn)在于可以獲得較低的源漏電容。但缺點(diǎn)在于，源區(qū)是條形的，在后續(xù)的接觸孔的光刻和刻蝕過(guò)程中，一旦對(duì)偏，則會(huì)對(duì)器件的開(kāi)啟電壓、導(dǎo)通電阻產(chǎn)生較大影響。

具體地，如圖1(b)所示的接觸孔邊界示意圖，其中，兩條直線之間為接觸孔部分，此部分需和源區(qū)相連。如果對(duì)偏，則一側(cè)的接觸孔不能和源區(qū)接觸，將嚴(yán)重影響器件的電學(xué)性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種VDMOS器件的制作方法，通過(guò)兩次源區(qū)離子注入工藝，形成了結(jié)構(gòu)連續(xù)且結(jié)深適宜的源區(qū)，從而克服了接觸孔容易對(duì)偏的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種VDMOS器件的制作方法，包括：

依次制作所述器件的JFET區(qū)、環(huán)區(qū)和體區(qū)；

在器件表面，通過(guò)涂覆光刻膠以定義源區(qū)位置，并進(jìn)行第一次源區(qū)離子注入和驅(qū)入，形成兩個(gè)第一源區(qū)，所述兩個(gè)第一源區(qū)位于同一個(gè)體區(qū)內(nèi)；

去除所述光刻膠，并進(jìn)行第二次源區(qū)離子注入和驅(qū)入，形成第二源區(qū)，所述第二源區(qū)的深度小于所述兩個(gè)第一源區(qū)的深度，所述第二源區(qū)的寬度大于所述兩個(gè)第一源區(qū)的間隔寬度。

可選地，所述第一次源區(qū)離子注入的注入離子為磷，注入能量為120KeV，注入劑量為1E15-1E16，所述第一次源區(qū)離子驅(qū)入的溫度為850°-950°，驅(qū)入時(shí)間為30min-60min。

可選地，所述第二次源區(qū)離子注入的注入離子為砷，注入能量為50KeV-80KeV，注入劑量為1E15-1E16，所述第二次源區(qū)離子驅(qū)入的溫度為900°-920°，驅(qū)入時(shí)間為20min-40min。

具體地，所述制作所述器件的JFET區(qū)，包括：

在基底上形成初始氧化層，所述基底包括自下而上依次形成的襯底和外延層；

在所述初始氧化層表面，通過(guò)涂覆光刻膠定義JFET區(qū)位置；

在所述光刻膠阻擋下，對(duì)所述初始氧化層進(jìn)行刻蝕，以形成JFET區(qū)窗口；

進(jìn)行JFET區(qū)離子注入，形成JFET區(qū)。

具體地，所述制作所述器件的環(huán)區(qū)，包括：

在所述初始氧化層表面以及所述外延層表面，通過(guò)涂覆光刻膠定義環(huán)區(qū)位置；

在所述光刻膠的阻擋下，對(duì)所述初始氧化層進(jìn)行刻蝕，以形成環(huán)區(qū)窗口；

進(jìn)行環(huán)區(qū)離子注入；