[發明專利]羥基喜樹堿納米晶體負載微球及其制備方法

有效

• 申請號: 201610136829.3
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN105748413B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 江燕斌;劉貴金;龐嘉鳳;魏東偉;馮嘉玲;朱煒
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: A61K9/16
• 分類號: A61K9/16;A61K31/4745;A61K47/42;A61P35/00
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 羅觀祥

1.羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)液化二氧化碳經高壓泵連續引入沉降釜，調節沉降釜的釜內溫度為30‐45℃，壓力為80‐140bar；通過噴嘴通入二甲基亞砜和/或乙醇溶劑，穩定后，停止通入溶劑，通過噴嘴通入羥基喜樹堿和Zein溶液；溶劑快速與超臨界二氧化碳充分混合并經沉降釜的釜底流出回收，形成的溶質顆粒沉降于沉降釜底部；得羥基喜樹堿納米晶體和Zein的共沉淀混合物；所述二甲基亞砜和乙醇的體積比為1:0‐2:3；

(2)將步驟(1)所得羥基喜樹堿納米晶體和Zein的共沉淀混合物超聲分散到乙醇‐水溶液中，得羥基喜樹堿納米晶體分散體系；

(3)以步驟(2)得到的羥基喜樹堿納米晶體分散體系為透析溶液，以超純水為透析液，采用超聲內置透析裝置制備載羥基喜樹堿納米晶體的Zein微球乳液；

(4)將所得透析后載羥基喜樹堿納米晶體的Zein微球乳液冷凍干燥，得到載羥基喜樹堿納米晶體的Zein微球粉末。

2.根據權利要求1所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于，步驟(1)羥基喜樹堿和Zein溶液通入完畢后，繼續通入二氧化碳以除去殘留的二甲基亞砜和/或乙醇溶劑。

3.根據權利要求2所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于，所述繼續通入二氧化碳的時間為30‐60min。

4.根據權利要求1所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述羥基喜樹堿和Zein的質量比為1:5‐1:25；羥基喜樹堿在羥基喜樹堿和Zein溶液的濃度為0.25‐1.5mg/mL。

5.根據權利要求1所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于，步驟(1)制備羥基喜樹堿納米晶體和Zein共沉淀混合物中羥基喜樹堿納米晶體均勻分散于Zein納米粒子周圍。

6.根據權利要求1所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于：所述超聲分散的時間為15‐30min。

7.根據權利要求1所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于：所述乙醇‐水溶液中乙醇的體積分數為60‐90％。

8.根據權利要求1所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于：步驟(3)所述超聲內置透析裝置調控的溫度為15‐40℃；超聲功率為100‐200W；超聲時間/間歇時間為1‐2s/2‐4s；透析時間為0.5‐1.5h/次；透析重復次數為2‐4次。

9.根據權利要求1所述的羥基喜樹堿納米晶體負載微球的制備方法，其特征在于：所述冷凍干燥時間為12～48h，冷凍干燥中冷阱溫度低于‐30℃。

10.一種羥基喜樹堿納米晶體負載微球，其特征在于，其由權利要求1‐9任一項所述制備方法制得；羥基喜樹堿以納米晶體的形式包埋于載體材料Zein形成的微球內，微球表面光滑，粒徑為1‐5μm；以質量百分比計，平均載藥量為3‐15％，載藥效率56‐97％；釋放70％質量載藥羥基喜樹堿納米晶體的時間大于72h。