[發明專利]一種在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法及應用有效
| 申請號： | 201610136253.0 | 申請日： | 2016-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN107177813B | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 彭曉;黃淵超 | 申請（專利權）人： | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號： | C23C8/02 | 分類號： | C23C8/02;C23C8/12 |
| 代理公司： | 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 張志偉 |
| 地址： | 110016 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 al 金屬 化合物 直接 生長 al2o3 方法 應用 | ||
1.一種在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法，其特征在于：M-Al金屬間化合物為鋁化物NiAl、Ni2Al3或FeAl，在鋁化物表面均勻預置一層剛玉結構的氧化物納米顆粒，該層由氧化物納米顆粒相互疏松地堆積疊加而成。
2.按照權利要求1所述的在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法，其特征在于：剛玉結構氧化物納米顆粒為Cr2O3、α-Fe2O3、α-Al2O3、Ti2O3或V2O3。
3.按照權利要求1所述的在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法，其特征在于：以M-Al金屬間化合物為基材，采用電泳沉積技術在其表面預置一層剛玉結構的氧化物納米顆粒，將剛玉結構的氧化物納米顆粒彌散到電泳液中。
4.按照權利要求3所述的在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法，其特征在于：采用電泳沉積技術在鋁化物表面預置一層剛玉結構的氧化物納米顆粒后，使得鋁化物在<1100℃空氣中氧化時，α-Al2O3在氧化初期直接形成。
5.按照權利要求1所述的在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法，其特征在于：以M-Al金屬間化合物為基材，采用噴涂技術在其表面預置一層剛玉結構的氧化物納米顆粒，將剛玉結構的氧化物納米顆粒彌散到酒精溶液并注入噴嘴中，在氣流下將氧化物噴射到基體表面。
6.按照權利要求5所述的在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法，其特征在于：采用噴涂技術在鋁化物表面預置一層剛玉結構的氧化物納米顆粒后，使得鋁化物在<1100℃空氣中氧化時，α-Al2O3在氧化初期直接形成。
7.一種權利要求1至6之一所述在M-Al金屬間化合物上直接熱生長α-Al2O3的方法的應用，其特征在于：采用該方法顯著改善M-Al金屬間化合物涂層或基材的抗高溫氧化的性能，提高其使用壽命。
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