[發(fā)明專利]嵌入式閃存的檢測電路和微調方法、嵌入式閃存

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610135967.X
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN105609142B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設計）人: 李鳴
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

一種嵌入式閃存的檢測電路和微調方法、嵌入式閃存，所述嵌入式閃存的檢測電路適于檢測嵌入式閃存在編程狀態(tài)下的編程電壓或在擦除狀態(tài)下的擦除電壓，包括：測試通道選擇電路，與固定測試點耦接，測試通道選擇電路輸入有使能信號；電壓比較電路，與測試通道選擇電路耦接；其中，當使能信號為第一邏輯電平時，固定測試點經由測試通道選擇電路對編程電壓或擦除電壓進行檢測；當使能信號為不同于第一邏輯電平的第二邏輯電平時，固定測試點經由測試通道選擇電路耦接至電壓比較電路，電壓比較電路將編程電壓或擦除電壓與固定測試點上的參考電壓進行比較以產生檢測結果；所述檢測結果適于傳輸至微調電路。本發(fā)明可大大縮短編程電壓或擦除電壓的檢測時間。

技術領域

本發(fā)明涉及嵌入式閃存技術，特別涉及一種嵌入式閃存的檢測電路和微調方法、嵌入式閃存。

背景技術

閃存(Flash)是一種長壽命的非易失性的存儲器，在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息，由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的極板程序、個人數字助理、數碼相機中保存資料等。閃存也可以被看作電子可擦除只讀存儲器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)的變種，而閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。嵌入式閃存(Eflash)是一種嵌入式芯片內嵌的flash存儲，在設計中，無需增加存儲芯片，使得電路板更加小巧，以減少成本，還可以通過減少外設底層通信，降低編程難度，更有利于工程師對其開發(fā)和功能強化。

嵌入式閃存在出廠時前需要對其編程狀態(tài)下的編程電壓或在擦除狀態(tài)下的擦除電壓進行測試與微調，并將微調后的所述編程電壓或擦除電壓存儲于嵌入式閃存的內部存儲器中。在現有技術中，一般采用固定測試點對所述編程電壓或擦除電壓直接進行檢測，檢測過程慢，檢測時間長使得測試成本大大增加。

因此，現有技術的嵌入式閃存面臨著對編程電壓或擦除電壓的檢測時間較長的問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明解決的技術問題是如何縮短現有技術的嵌入式閃存中對編程電壓或擦除電壓的檢測時間。

為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供一種嵌入式閃存的檢測電路，適于檢測嵌入式閃存在編程狀態(tài)下的編程電壓或在擦除狀態(tài)下的擦除電壓，所述嵌入式閃存的檢測電路包括：測試通道選擇電路，與固定測試點耦接，所述測試通道選擇電路輸入有使能信號；電壓比較電路，與所述測試通道選擇電路耦接；其中，當所述使能信號為第一邏輯電平時，所述固定測試點經由所述測試通道選擇電路對所述編程電壓或擦除電壓進行檢測；當所述使能信號為不同于所述第一邏輯電平的第二邏輯電平時，所述固定測試點經由所述測試通道選擇電路耦接至所述電壓比較電路，所述電壓比較電路將所述編程電壓或擦除電壓與所述固定測試點上的參考電壓進行比較以產生檢測結果；所述檢測結果適于傳輸至微調電路，所述微調電路適于根據所述檢測結果對所述編程電壓或擦除電壓進行調節(jié)以達到目標電壓。

可選地，所述電壓比較電路包括：分壓電路，適于對所述編程電壓進行分壓以輸出編程分壓電壓，或者對所述擦除電壓進行分壓以輸出擦除分壓電壓；比較器，所述比較器的第一輸入端輸入有所述參考電壓，所述比較器的第二輸入端輸入有所述編程分壓電壓或所述擦除分壓電壓，并輸出比較結果。

可選地，所述分壓電路包括：多個分壓支路和耦接所述多個分壓支路的分壓選擇電路，其中，所述分壓選擇電路在不同的控制信號的作用下，所述分壓電路具有不同的分壓比。

可選地，所述分壓支路包括：第一電阻和第二電阻，其中，所述第一電阻的第一端輸入有所述編程電壓或擦除電壓，所述第一電阻的第二端連接所述第二電阻的第一端，并輸出所述編程分壓電壓或擦除分壓電壓，所述第二電阻的第二端接地。

可選地，所述電壓比較電路還包括：電平轉換電路，所述電平轉換電路的輸出端連接所述電壓比較電路的輸出端，適于對所述比較器所輸出的比較結果進行變換。