[發明專利]訪問動態隨機存儲器DRAM的方法和總線

有效

• 申請號: 201610135661.4
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN107180001B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 梁軍;劉虎;張志強
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 毛威;孫濤

1.一種訪問動態隨機存儲器DRAM的方法，其特征在于，所述方法包括：

接收訪問指令，所述訪問指令包括訪問地址，所述訪問地址包括物理地址和增添設置的第一字段和第二字段，其中，所述第一字段用于指示交織模式，所述交織模式表示訪問通道的選擇方式，所述第二字段用于指示交織粒度，所述交織粒度表示所述訪問通道下的地址空間的容量；

根據所述第一字段和所述第二字段，確定所述訪問通道和所述訪問通道下的地址；

根據所述訪問通道和所述訪問通道下的地址，訪問所述DRAM。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一字段和所述第二字段確定所述訪問通道和所述訪問通道下的地址包括：

當所述第一字段的值指示所述交織模式為3+1訪問通道交織模式時，確定所述物理地址中的第三字段，所述第三字段用于指示在3個訪問通道間交織訪問所述DRAM，或通過單訪問通道訪問所述DRAM；

當所述第三字段的值指示在3個訪問通道間交織訪問所述DRAM時，確定所述物理地址中的第四字段，所述第四字段用于指示在所述3個訪問通道中選擇一個訪問通道；

根據所述第二字段的值，確定所述第四字段的值；

根據預先設定的所述第四字段的不同值與所述3個訪問通道的映射關系，確定所述第四字段的值對應的第一訪問通道；

根據所述第四字段的值，確定所述第一訪問通道下的地址。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

當所述第三字段的值指示通過單訪問通道訪問所述DRAM時，根據所述第三字段，確定所述單訪問通道和所述單訪問通道下的地址。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一字段和所述第二字段確定所述訪問通道和所述訪問通道下的地址包括：

當所述第一字段指示所述交織模式為雙訪問通道交織模式時，確定所述物理地址中的第五字段，所述第五字段用于指示在兩組訪問通道組合中選擇一個訪問通道組合訪問所述DRAM；

當所述第五字段的值指示在第一訪問通道組合中的兩個訪問通道間交織訪問所述DRAM時，確定所述物理地址中的第六字段，所述第六字段用于指示在所述第一訪問通道組合中選擇一個訪問通道訪問所述DRAM；

根據所述第二字段的值，確定所述第六字段的值；

根據預先設定的所述第六字段的不同值與所述第一訪問通道組合中的訪問通道的對應關系，確定所述第六字段的值對應的第二訪問通道；

根據所述第五字段和所述第六字段，確定所述第二訪問通道下的地址。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一字段和所述第二字段確定所述訪問通道和所述訪問通道下的地址包括：

當所述第一字段的值指示所述交織模式為4訪問通道交織模式時，確定所述物理地址中的第七字段，所述第七字段用于指示在4個訪問通道中選擇一個訪問通道訪問所述DRAM；

根據所述第二字段的值，確定所述第七字段的值；

根據預先設定的所述第七字段的不同值與所述4個訪問通道的映射關系，確定所述第七字段的值對應的第三訪問通道；

根據所述第七字段，確定所述第三訪問通道下的地址。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一字段和所述第二字段確定所述訪問通道和所述訪問通道下的地址包括：

當所述第一字段指示所述交織模式為單訪問通道模式時，確定所述物理地址中的第八字段，所述第八字段用于指示選擇單通道訪問所述DRAM；

根據所述第八字段，確定選中的單訪問通道和所述選中的單訪問通道下的地址。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一字段包括至少兩個比特位，所述第二字段包括至少三個比特位。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其特征在于，所述交織粒度包括128字節、256字節、512字節、1024字節、2048字節和4096字節中的任意一種。

9.一種用于訪問動態隨機存儲器DRAM的總線，其特征在于，所述總線包括用于執行權利要求1至權利要求8中任一項所述的訪問動態隨機存儲DRAM的方法的模塊。