[發明專利]一種基于PHEMT工藝的MMIC等效管芯模型有效
| 申請號： | 201610135225.7 | 申請日： | 2016-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN105740580B | 公開（公告）日： | 2019-02-22 |
| 發明（設計）人： | 朱恒;童華清;徐秀琴;許慧;屠志晨;王志宇;尚永衡;郁發新 | 申請（專利權）人： | 杭州立昂東芯微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 phemt 工藝 mmic 等效 管芯 模型 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用基于PHEMT工藝的MMIC的等效管芯模型的仿真方法，其特征在于，該等效管芯模型包括柵極（1）、源極（2）、漏極（3）、熱源（4）、連接條a（5）、連接條b（6），熱源（4）與柵極（1）的柵長一致，寬度比柵極（1）的寬度長3μm，放置在柵極（1）的下表面，厚度為0.1μm，連接條a（5）連接柵極（1）、源極（2）、漏極（3）的左側，且壓著熱源（4）的上表面，連接條b（6）連接柵極（1）、源極（2）、漏極（3）的右側，且壓著熱源（4）的上表面；
所述的熱源（4）的功耗是根據芯片中每級管芯柵寬的比例分配得到，且每一級中管芯的功耗大小相同；
每一級管芯的尺寸都是相同的，各級管芯之間也只有柵極（1）的柵寬不一樣；
所述的柵極（1）、源極（2）、漏極（3）、連接條a（5）、連接條b（6）的材料都為金。
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