[發明專利]一種氮化物發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201610135190.7
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN105576095B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 鄭錦堅;鐘志白;杜偉華;代睿冬;廖樹濤;李志明;伍明躍;周啟倫;林峰;李水清;康俊勇
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
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• 代理人: 暫無信息

1.一種氮化物發光二極管，依次包括襯底，緩沖層，N型氮化物，多量子阱，P型氮化物以及 P型接觸層，其特征在于：所述P型接觸層具有MgGa納米團簇超晶格，通過高導電性能MgGa團簇作為電流擴展橋接點，解決P型因Mg離化效率低引起空穴濃度偏低和電流擴展偏差的問題，提升P型接觸層空穴的擴散長度，改善P型電流的擴展能力，減少電流的積聚效應，提升發光的均勻性和ESD。

2.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述襯底為藍寶石、碳化硅、硅、氮化鎵、氮化鋁、ZnO適合外延生長的襯底。

3.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述MgGa納米團簇超晶格為每層P型氮化物接觸層布滿MgGa納米團簇，每層厚度為5~500nm。

4.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述MgGa納米團簇的尺寸為10~500nm。

5.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述MgGa納米團簇的密度為1E7~1E12cm^-2。

6.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述MgGa納米團簇超晶格的周期為N次，其中N>=1。

7.一種氮化物發光二極管的制作方法，包含以下步驟：（1）在襯底上依次外延生長緩沖層、N型氮化物、多量子阱、P型氮化物；（2）采用低溫方法生長具有高凹坑密度的P型接觸層，作為MgGa納米團簇的沉積點；（3）生長具有MgGa納米團簇超晶格的P型接觸層。

8.根據權利要求7所述的一種氮化物發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（2）生長具有高凹坑密度的P型接觸層，將溫度降至600~800度，使氮化物表面粗化，形成密集的凹坑，作為MgGa納米團簇的沉積點，凹坑密度為1E7~1E12cm^-2。

9.根據權利要求7所述的一種氮化物發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（3）具有MgGa納米團簇超晶格的P型接觸層，首先關閉NH3，通入Cp2Mg，預鋪Mg納米點，然后關閉Mg，通入TMGa，生成MgGa納米團簇，然后，開啟NH3，同時通入Cp2Mg/TMGA，生長具有MgGa納米團簇超晶格的P型接觸層，重復以上步驟，生長超晶格周期為N次，其中N>=1。