[發明專利]一種由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件

有效

• 申請號: 201610134893.8
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN105633074B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 汪洋;董鵬;周子杰;金湘亮;關健
• 申請（專利權）人: 湖南靜芯微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/07;H01L29/74
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• 代理人: 暫無信息

1.一種由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件，包括：

P型半導體襯底、形成于P型半導體襯底上的BN+埋層以及形成于BN+埋層上的高壓N阱，所述的高壓N阱內從左到右依次設有第一P-body區、第一P-base區、第二P-base區、第二P-body區；

第一P-body區內橫向從左到右依次設有第一P+注入區、第一N+注入區，縱向設有第五P+注入區與第一N+注入區交替分布；

第一P-base區內設有第二環形P+注入區、第二N+注入區，其中第二N+注入區被第二環形P+注入區包圍；

第二P-base區內設有第三環形P+注入區、第三N+注入區，其中第三N+注入區被第三環形P+注入區包圍；

第二P-body區內橫向從左到右依次設有第四N+注入區、第四P+注入區，縱向設有第六P+注入區與第四N+注入區交替分布；

所述第一P+注入區、第一N+注入區連接陽極，第四N+注入區和第四P+注入區連接陰極，正向路徑的第二環形P+注入區、第三環形P+注入區、第五P+注入區通過導線Z連接；反向路徑的第二環形P+注入區、第三環形P+注入區、第六P+注入區通過導線X連接；正向路徑的第二N+注入區、第三N+注入區與反向路徑的第二N+注入區、第三N+注入區通過導線Y連接。

2.如權利要求1所述的由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件，其特征在于，所述半導體襯底接地。

3.如權利要求1所述的由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件，其特征在于，第二環形P+注入區、第二N+注入區，第三環形P+注入區、第三N+注入區均存在間距分布。

4.如權利要求1所述的由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件，其特征在于，第五P+注入區與第一N+注入區按照比例交替且無間距相鄰分布。

5.如權利要求1所述的由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件，其特征在于，第六P+注入區與第四N+注入區按照比例交替且無間距相鄰分布。

6.如權利要求3所述的由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件，其特征在于，第五P+注入區、第一N+注入區均與第一P+注入區存在間距分布。

7.如權利要求4所述的由反偏二極管觸發的雙向可控硅器件，其特征在于，第六P+注入區、第四N+注入區均與第四P+注入區存在間距分布。