[發明專利]氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器及其制備方法

在審

• 申請號: 201610134612.9
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN105679760A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 解令海;胡波;儀明東;趙瑋;黃維
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L27/102
• 分類號: H01L27/102;H01L29/16
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器，自下而上依次包括基底、下電極、氧化石 墨烯基活性層和上電極，其特征在于：所述氧化石墨烯基活性層的材料是氧化石墨烯或通過 化學方法選擇性還原后氧化石墨烯CrGO。

2.根據權利要求1所述的氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器，其特征在于：所述氧化 石墨烯基活性層厚度為200～1000nm。

3.根據權利要求1所述的氧化石墨烯二極管動態隨機存儲器，其特征在于：所述上電極 材料為鋁。

4.如權利要求1所述的氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器的制備方法，其特征在于， 包括以下步驟，

S1、將凍干的氧化石墨烯或化學還原后的氧化石墨烯投入到分散劑中制成懸浮液，其中 氧化石墨烯基材料的濃度為5～8mg/ml，分散劑為甲醇、乙醇、丙酮、四氫呋喃或者去離 子水中的至少一種；

S2、將S1中配置好的氧化石墨烯基溶液放入超聲波清洗機中清洗至少10分鐘，待配置 的溶液完全分散、溶解；

S3、選擇表面刻蝕有250nm氧化銦錫的玻璃作為基底，其中氧化銦錫作為下電極，清洗 干凈后烘干；

S4、將完全溶解的氧化石墨烯基溶液旋涂到基底上有氧化銦錫的一面，控制旋涂的轉速， 直到氧化石墨烯基達到200～1000nm的厚度；

S5、將旋涂有氧化石墨烯溶液的基底放置于烘箱中退火烘干；

S6、將退火后的薄膜放置于真空蒸鍍室，蒸鍍一層上電極。

5.根據權利要求4所述的氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器的制備方法，其特征在 于：S4中所述旋涂的轉速為每分鐘滴3～5滴，每滴溶液形成薄膜的厚度為10～20nm。

6.根據權利要求4所述的氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器的制備方法，其特征在 于：S5中所述基底的退火溫度為60°～100°，退火時間為一小時。

7.根據權利要求4所述的氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器的制備方法，其特征在 于：S6中所述上電極為鋁電極。

8.根據權利要求7所述的氧化石墨烯基二極管動態隨機存儲器的制備方法，其特征在 于：S6中蒸鍍鋁電極的速率為真空度在5×10^-4pa～10^-5pa，采用晶振控制厚度在 90-100nm。