[發明專利]半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 201610134357.8
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN107180761A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 謝欣云
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有鰭部；

在所述半導體襯底表面形成隔離層，所述隔離層的表面低于鰭部的頂部表面且覆蓋部分鰭部的側壁；

形成覆蓋所述鰭部和隔離層的介質層；

對所述介質層進行離子注入，使所述介質層為N型或P型摻雜；

進行熱處理，使所述介質層內的摻雜離子向鰭部內擴散，對鰭部進行摻雜。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在對所述介質層進行離子注入之后、進行熱處理之前，在所述介質層表面形成蓋層。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入采用的注入能量小于10keV。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在對所述介質層進行離子注入之前，在所述介質層表面形成蓋層。

5.根據權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入采用的注入能量小于15keV。

6.根據權利要求2或4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述蓋層的厚度為10nm～20nm。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述蓋層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

8.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層的厚度為2nm～10nm。

9.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為氧化硅。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層 內具有N型或P型摻雜離子。

11.根據權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為摻磷氧化硅或摻硼氧化硅。

12.根據權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層在離子注入之前的摻雜濃度為1E21atom/cm³～1E22atom/cm³。

13.根據權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入的離子類型與介質層內的摻雜離子類型相同。

14.根據權利要求1或13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層在離子注入之后的摻雜濃度為2E22atom/cm³～1E23atom/cm³。

15.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入采用兩次對稱的傾斜注入方式進行，所述傾斜注入的傾斜角度為30度以下。

16.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述熱處理的方法包括：快速熱退火、爐管退火或尖峰退火工藝。

17.根據權利要求16所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述熱處理的溫度為500℃～1200℃，時間為30min～1h。

18.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在形成所述介質層之前，在所述鰭部表面形成氧化層。