[發明專利]解碼方法、存儲器控制電路單元及存儲器存儲裝置

有效

• 申請號: 201610133759.6
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN107179960B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 林緯;王天慶;賴國欣
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/42
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種解碼方法，其特征在于，用于可復寫式非揮發性存儲器模塊，所述可復寫式非揮發性存儲器模塊具有多個存儲單元，所述解碼方法包括：

根據第一電壓從所述存儲單元中讀取數據，其中所述數據包括使用者數據串與錯誤檢查與校正碼組，所述使用者數據串包括多個子數據單元；

以第一解碼演算法對所述多個子數據單元至少部份進行解碼以獲取多個已解碼子數據單元，其中所述多個已解碼子數據單元包括已校正位元，并且所述已校正位元的值從原始位元值被解碼成校正位元值；

根據所述第一電壓以及一第一預設差值決定預設區域；

判斷所述已校正位元是否符合可靠度條件；以及

倘若所述已校正位元符合所述可靠度條件，將所述已校正位元的值回復為所述原始位元值，

判斷所述已校正位元是否符合所述可靠度條件的步驟包括：

判斷存儲所述已校正位元的存儲單元的臨界電壓是否落在所述預設區域之內；

倘若存儲所述已校正位元的存儲單元的臨界電壓落在所述預設區域之內，判定所述已校正位元不符合所述可靠度條件；以及

倘若存儲所述已校正位元的存儲單元的臨界電壓值非落在所述預設區域之內，判定所述已校正位元符合所述可靠度條件。

2.根據權利要求1所述的解碼方法，其特征在于，還包括：

根據第二解碼演算法對包含所述原始位元值的數據串進行解碼。

3.根據權利要求1所述的解碼方法，其特征在于，在倘若所述已校正位元符合所述可靠度條件，將所述已校正位元的值回復為所述原始位元值的步驟之后還包括：

計數迭代次數；

判斷所述迭代次數是否達到預設次數；以及

倘若所述迭代次數非達到所述預設次數，根據所述第一電壓以及一第二預設差值重新決定所述預設區域，其中所述第二預設差值不同于所述第一預設差值。

4.根據權利要求1所述的解碼方法，其特征在于，以所述第一解碼演算法對所述多個子數據單元至少部份進行解碼以獲取所述多個已解碼子數據單元的步驟包括：

根據所述第一解碼演算法獲取所述多個子數據單元中的錯誤位元，其中所述錯誤位元的值為所述原始位元值；

調整所述錯誤位元的值以取得所述已校正位元的值，其中所述已校正位元的值為所述校正位元值；以及

根據所述已校正位元獲取所述多個已解碼子數據單元。

5.根據權利要求1所述的解碼方法，其特征在于，倘若所述已校正位元符合所述可靠度條件，將所述已校正位元的值回復為所述原始位元值的步驟包括：

將所述已校正位元的值回復為所述原始位元值，并且根據所述已校正位元的值更新所述多個已解碼子數據單元。

6.根據權利要求1所述的解碼方法，其特征在于，所述錯誤檢查與校正碼組包括多個第一方向錯誤校正碼與多個第二方向錯誤校正碼，所述多個第一方向錯誤校正碼是分別地對應以矩陣形式排列的所述多個子數據單元之中的多個第一方向數據段，所述多個第二方向錯誤校正碼是分別地對應以所述矩陣形式排列的所述多個子數據單元之中的多個第二方向數據段，

其中以所述第一解碼演算法對所述多個子數據單元至少部份進行解碼以獲取所述多個已解碼子數據單元的步驟包括：

根據所述多個第一方向錯誤校正碼解碼所述多個第一方向數據段以獲取所述多個已解碼子數據單元。

7.根據權利要求6所述的解碼方法，其特征在于，還包括：

根據所述多個第二方向錯誤校正碼解碼所述多個第二方向數據段以獲取多個更新已解碼子數據單元；以及

根據所述多個更新已解碼子數據單元獲取對應所述使用者數據的一已校正數據串。

8.根據權利要求6所述的解碼方法，其特征在于，所述多個第一方向數據段為以所述矩陣形式排列的所述多個子數據單元的多個行數據段，并且所述多個第二方向數據段為以所述矩陣形式排列的所述多個子數據單元的多個列數據段。