[發明專利]半導體裝置結構

有效

• 申請號: 201610133564.1
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN107180820B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 林庭佑;涂祈吏
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 郭曉宇

1.一種半導體裝置結構，其特征在于，包括：

一半導體基底；

一內金屬層，設置于該半導體基底上；

一頂部金屬層，設置于該內金屬層上，其中該頂部金屬層具有一第一部分及一第二部分，其中該第一部分完全覆蓋該內金屬層，該第二部分圍繞該第一部分，且該第一部分與該第二部分隔開；以及

一鈍化層，設置于該頂部金屬層上，其中該鈍化層具有一挖空圖案，該挖空圖案包括一第一挖空區，以露出該頂部金屬層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置結構，其特征在于，更包括：

一多晶硅層，位于該半導體基底與該內金屬層間，其中該多晶硅層未被該頂部金屬層的該第二部分覆蓋。

3.如權利要求2所述的半導體裝置結構，其特征在于，該挖空圖案更包括一第二挖空區，該第一挖空區圍繞該第二挖空區，且該第二挖空區露出該頂部金屬層的該第一部分，且該多晶硅層未被該鈍化層覆蓋。

4.如權利要求2所述的半導體裝置結構，其特征在于，該挖空圖案的該第一挖空區，露出該頂部金屬層的該第二部分，且該多晶硅層被該鈍化層覆蓋。

5.如權利要求2所述的半導體裝置結構，其特征在于，該多晶硅層的一部分為薄膜電阻器。

6.如權利要求1所述的半導體裝置結構，其特征在于，該內金屬層并未被該頂部金屬層的該第二部分覆蓋。

7.如權利要求3所述的半導體裝置結構，其特征在于，該挖空圖案更包括：

一連接部，其中該第一挖空區與該第二挖空區通過該連接部連接。

8.如權利要求1所述的半導體裝置結構，其特征在于，該內金屬層包括：

一第一內金屬層；以及

一第二內金屬層，設置于該第一內金屬層上，其中該第一內金屬層及該第二內金屬層由不連續的區塊組成。

9.如權利要求8所述的半導體裝置結構，其特征在于，該第一內金屬層與該第二內金屬層垂直。

10.一種半導體裝置結構，其特征在于，包括：

一半導體基底；

一內金屬層，設置于該半導體基底上；

一頂部金屬層，設置于該內金屬層上；以及

一鈍化層，設置于該頂部金屬層上，該鈍化層包括一第一鈍化部分和一第二鈍化部分與該第一鈍化部分隔開，其中該第二鈍化部分圍繞該第一鈍化部分，且該第一鈍化部分與該第二鈍化部分間的空隙露出該頂部金屬層。

11.如權利要求10所述的半導體裝置結構，其特征在于，該頂部金屬層具有一第一部分及一第二部分，其中該第一部分完全覆蓋該內金屬層，該第二部分圍繞該第一部分，且該第一部分與該第二部分隔開。

12.如權利要求11所述的半導體裝置結構，其特征在于，該鈍化層的該第一鈍化部分覆蓋該頂部金屬層的該第一部分及一部分的該頂部金屬層的該第二部分。

13.如權利要求12所述的半導體裝置結構，其特征在于，該鈍化層的該第一鈍化部分完全覆蓋該頂部金屬層的該第一部分。

14.如權利要求12所述的半導體裝置結構，其特征在于，該頂部金屬層的該第一部分未被該鈍化層的該第一鈍化部分完全覆蓋。

15.如權利要求14所述的半導體裝置結構，其特征在于，該鈍化層的該第一鈍化部分由多個不連續的區塊組成。

16.如權利要求15所述的半導體裝置結構，其特征在于，該些區塊的每一個區塊包括L型形狀或矩形，該些區塊排成一環形，且該些區塊具有一旋轉對稱中心。