[發(fā)明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610133540.6
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN107180861B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/70
• 分類號: H01L29/70;H01L21/328
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一區(qū)域、環(huán)繞所述第一區(qū)域且與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域，以及環(huán)繞所述第二區(qū)域且與所述第二區(qū)域相鄰的第三區(qū)域，所述第一區(qū)域用于形成發(fā)射極，所述第二區(qū)域用于形成基極，所述第三區(qū)域用于形成集電極；

刻蝕所述襯底，形成鰭部，所述第一區(qū)域的鰭部密度大于所述第二區(qū)域和第三區(qū)域的鰭部密度；

在所述第一區(qū)域的鰭部內形成第一開口，所述第一開口垂直于所述襯底表面方向的剖面形狀為U形；

在所述第一開口中形成第一連接層；

對所述第一連接層進行離子摻雜，以形成發(fā)射極；

在第二區(qū)域的鰭部內形成基極；

在第三區(qū)域的鰭部內形成集電極。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述鰭部后，在所述第一區(qū)域的鰭部內形成第一開口之前，還包括：

在所述第一區(qū)域以及第二區(qū)域的襯底內形成第一阱區(qū)；

在所述第三區(qū)域的襯底內形成第二阱區(qū)，所述第二阱區(qū)的摻雜類型與所述第一阱區(qū)的摻雜類型不同。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一阱區(qū)為N型阱區(qū)，所述第二阱區(qū)為P型阱區(qū)。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一連接層的材料為SiC或SiCP。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一區(qū)域的鰭部內形成第一開口的步驟中，在所述第二區(qū)域的鰭部內形成第二開口；

在所述第一開口中形成第一連接層的步驟中，在所述第二開口中形成第二連接層；

在形成所述第一連接層和第二連接層之后，對所述第一連接層進行離子摻雜之前，還包括：在所述第三區(qū)域的鰭部內形成第三開口；在所述第三開口中形成第三連接層。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二開口垂直于所述襯底表面方向的剖面形狀為U形；

所述第二連接層的材料為SiC或SiCP。

7.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第三開口垂直于所述襯底表面方向的剖面形狀為Sigma形；

所述第三連接層的材料為SiGe或SiGeB。

8.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第二區(qū)域的鰭部內形成基極的步驟中，對所述第二連接層進行離子摻雜，以形成基極；

在所述第三區(qū)域的鰭部內形成集電極的步驟中，對所述第三連接層進行離子摻雜，以形成集電極。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述襯底用于形成PNP雙極結型晶體管，對所述第一連接層進行離子摻雜的工藝為P型離子摻雜工藝；對所述第二連接層進行離子摻雜的工藝為N型離子摻雜工藝；對所述第三連接層進行離子摻雜的工藝為P型離子摻雜工藝。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述第一連接層進行離子摻雜的工藝參數(shù)包括：摻雜的離子為磷離子、砷離子或銻離子，離子能量為1Kev至30Kev，離子劑量為1E15至8E15原子每平方厘米。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述第一連接層進行離子摻雜的步驟包括：

在形成所述第一連接層的過程中進行原位自摻雜；

或者，在形成所述第一連接層之后對所述第一連接層進行離子摻雜工藝。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一連接層的工藝為化學氣相沉積外延生長法。