[發(fā)明專利]晶片級(jí)發(fā)光二極管封裝件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610132992.2
• 申請(qǐng)日: 2011-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN105789236B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐源哲;葛大成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);王占杰

1.一種發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括：

第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元，包括第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層；

接觸區(qū)域，形成為穿過第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層和有源層以暴露第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層；

保護(hù)絕緣層，覆蓋第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元的側(cè)壁；

第一凸塊，設(shè)置在第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元下方并且電連接到通過接觸區(qū)域暴露的第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層；

第二凸塊，設(shè)置在第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元下方并且電連接到第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層；以及

波長轉(zhuǎn)換器，設(shè)置在第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元上，波長轉(zhuǎn)換器包括延伸超過第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元的側(cè)表面的區(qū)域，

其中，所述發(fā)光二極管封裝件還包括設(shè)置在第一凸塊和第二凸塊之間的絕緣層，并且第一凸塊和第二凸塊相對(duì)于絕緣層突出，

其中，所述發(fā)光二極管封裝件還包括：?jiǎn)⊥箟K，布置在第一凸塊和第二凸塊之間的絕緣層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，波長轉(zhuǎn)換器包括磷光體片或摻雜有雜質(zhì)的單晶基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，波長轉(zhuǎn)換器包括與保護(hù)絕緣層的側(cè)表面齊平的側(cè)表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，波長轉(zhuǎn)換器的延伸區(qū)域接觸保護(hù)絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，保護(hù)絕緣層包括分布式布拉格反射器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層包括粗糙的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，絕緣層覆蓋第一凸塊和第二凸塊的側(cè)表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括：

絕緣基底，具有通孔，

其中，第一凸塊和第二凸塊形成在絕緣基底的通孔中。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，絕緣基底具有部分地形成在絕緣基底的下表面上并且由金屬材料填充的凹槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括：

第二半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元，

其中，第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元串聯(lián)連接到第二半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元與第二半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元分開。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，保護(hù)絕緣層的設(shè)置在第一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元和第二半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)發(fā)光單元之間的部分連接到波長轉(zhuǎn)換器。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，發(fā)光二極管封裝件具有從發(fā)光二極管封裝件去除的生長基底。