[發明專利]晶片級發光二極管封裝件及其制造方法有效
| 申請號: | 201610132965.5 | 申請日: | 2011-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN105789235B | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 徐源哲;葛大成 | 申請(專利權)人: | 首爾半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/46;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/20;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 發光二極管 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管封裝件,所述發光二極管封裝件包括:
第一發光單元和第二發光單元,第一發光單元和第二發光單元中的每個發光單元包括第一半導體層、有源層和第二半導體層,其中,每個發光單元的第二半導體層和有源層提供暴露每個發光單元的第一半導體層的接觸區域;
第一保護絕緣層,覆蓋每個發光單元的側壁和頂表面;
連接件,位于第一發光單元和第二發光單元的第一側上并且使兩個相鄰的發光單元彼此電連接;
第一凸塊,布置在第一發光單元和第二發光單元的第一側上并且通過第一發光單元的接觸區域電連接到第一半導體層;
第二凸塊,布置在第一發光單元和第二發光單元的第一側上并且電連接到第二發光單元的第二半導體層;
第一接觸層,布置在暴露的第一半導體層上;
第二接觸層,布置在第二半導體層上;以及
第二保護絕緣層,布置在第一凸塊與第一接觸層之間,
其中,第一半導體層包括粗糙的表面,
其中,當以發光二極管封裝件的出光側為上側時,連接件直接布置在第二保護絕緣層下方,
其中,連接件通過位于第一發光單元的第一開口和位于第二發光單元的第二開口使第一接觸層和第二接觸層彼此電連接。
2.如權利要求1所述的發光二極管封裝件,所述發光二極管封裝件還包括布置在第一發光單元和第二發光單元的第二側上的波長轉換器,第二側與第一發光單元和第二發光單元的第一側相對。
3.如權利要求2所述的發光二極管封裝件,其中,波長轉換器位于每個發光單元的第一半導體層的粗糙的表面上。
4.如權利要求1所述的發光二極管封裝件,其中,第一保護絕緣層布置在第一接觸層和第二接觸層之間并且覆蓋第二接觸層。
5.如權利要求4所述的發光二極管封裝件,其中,第二保護絕緣層還布置在第二凸塊與第一接觸層之間。
6.如權利要求5所述的發光二極管封裝件,其中,第二保護絕緣層和第一保護絕緣層包括穿過第二保護絕緣層和第一保護絕緣層以暴露第二接觸層的所述第一開口,并且第二保護絕緣層還包括暴露第一接觸層的所述第二開口。
7.如權利要求6所述的發光二極管封裝件,所述發光二極管封裝件還包括:
第一電極焊盤,穿過位于第一發光單元的第二開口接觸位于第一發光單元的第一接觸層;以及
第二電極焊盤,穿過位于第二發光單元的第一開口接觸位于第二發光單元的第二接觸層,
其中,第一凸塊和第二凸塊分別接觸第一電極焊盤和第二電極焊盤。
8.如權利要求1所述的發光二極管封裝件,所述發光二極管封裝件還包括布置在第一凸塊和第二凸塊的側表面上的絕緣層。
9.如權利要求1所述的發光二極管封裝件,所述發光二極管封裝件還包括布置在第一凸塊和第二凸塊之間的啞凸塊。
10.如權利要求1所述的發光二極管封裝件,所述發光二極管封裝件還包括包含第一通孔和第二通孔的基底,第一凸塊和第二凸塊分別布置在第一通孔和第二通孔中。
11.如權利要求10所述的發光二極管封裝件,其中,基底包括布置在基底的下表面中并由金屬材料填充的凹槽。
12.如權利要求10所述的發光二極管封裝件,其中,連接件布置在與第一電極焊盤和第二電極焊盤相同的水平面處。
13.如權利要求9所述的發光二極管封裝件,所述發光二極管封裝件還包括布置在啞凸塊和連接件之間的第三保護絕緣層。
14.如權利要求6所述的發光二極管封裝件,其中,第一保護絕緣層和第二保護絕緣層中的至少一個包括分布式布拉格反射器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





