[發明專利]一種溝槽IGBT器件的制造方法

在審

• 申請號: 201610132066.5
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN105679668A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 湯藝;永福;王良元;徐泓
• 申請（專利權）人: 上海道之科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/20
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 翁霽明

1.一種溝槽IGBT器件的制造方法，其特征在于該制造方法包括：

首先在N型外延硅襯底或者區熔片上光刻注入N型雜質并擴散形成有一定參雜濃度和厚度的電荷貯存區，繼續生長P型外延形成頂層MOS結構的溝道區；

然后光刻刻蝕溝槽，生長柵極氧化層，淀積多晶硅材料填充溝槽；光刻刻蝕多晶硅形成頂層MOS結構的柵極；光刻N型源區注入N型雜質，然后淀積氧化層或者氮化硅等絕緣材料并退火致密，光刻接觸孔，刻蝕絕緣層裸露出之前形成的所有元胞的P阱區和N型源區硅表面；注入P型雜質并激活，確保P阱區與頂層金屬的歐姆接觸；濺射頂層金屬，光刻刻蝕頂層金屬，淀積鈍化層，光刻刻蝕鈍化層，最后合金完成頂層結構的制作；

然后硅片背面減薄到特定的厚度，背面注入P型或者注入N型以及P型雜質，通過低溫退火或者激光退火形成IGBT集電區或者帶有場終止層次的FS-IGBT，然后通過濺射或者蒸發的方法淀積背面金屬完成整個IGBT器件的制作過程。

2.根據權利要求1所述的溝槽IGBT器件及制造方法，其特征在于通過N型雜質如磷（P）、砷(As)或者銻(Sb)是以埋層注入擴散方法以形成器件的N型電荷貯存層次；通過外延的方法形成MOS結構的P型溝道區域；所述IGBT器件背面金屬是通過濺射或者蒸發的方式淀積的。