[發(fā)明專利]用于光通信的光芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610131707.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107171734B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳光啟智能光子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04B10/60 | 分類號(hào): | H04B10/60;H04B10/69;H04B10/116 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 徐偉 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)深南*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 光通信 芯片 | ||
1.一種光芯片,包括:
光電轉(zhuǎn)換單元,所述光電轉(zhuǎn)換單元用于接收光信號(hào)并通過(guò)光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生電信號(hào);
光噪去除單元,所述光噪去除單元耦接至所述光電轉(zhuǎn)換單元,用于去除所述電信號(hào)中的光噪聲以輸出數(shù)字電平信號(hào),其中,所述光噪去除單元包括噪聲過(guò)濾單元和箝位電阻,
所述噪聲過(guò)濾單元的輸入端接收來(lái)自所述光電轉(zhuǎn)換單元的電信號(hào),所述噪聲過(guò)濾單元用于過(guò)濾掉所述電信號(hào)中由于環(huán)境光而生成的噪聲電信號(hào)并在輸出端輸出目標(biāo)脈沖信號(hào),所述噪聲過(guò)濾單元包括二極管,
所述箝位電阻將所述二極管的正極上的電壓箝位至在無(wú)信號(hào)光源照射情況下小于所述二極管的導(dǎo)通電壓、而在有信號(hào)光源照射的情況下大于所述二極管的導(dǎo)通電壓的一電壓水平;以及
解碼單元,所述解碼單元用于根據(jù)所述數(shù)字電平信號(hào)的電平翻轉(zhuǎn)情況輸出信息比特以獲得傳輸數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的光芯片,其特征在于,所述解碼單元包括:
判決單元,響應(yīng)于電平翻轉(zhuǎn)輸出信息比特1,以及響應(yīng)于電平維持不變輸出信息比特0;或者,
所述判決單元響應(yīng)于電平翻轉(zhuǎn)輸出信息比特0,以及響應(yīng)于電平維持不變輸出信息比特1。
3.如權(quán)利要求2所述的光芯片,其特征在于,所述電平翻轉(zhuǎn)包括低電平到高電平的翻轉(zhuǎn)和高電平到低電平的翻轉(zhuǎn)兩者。
4.如權(quán)利要求1所述的光芯片,其特征在于,所述光噪去除單元還包括:
比較單元,所述比較單元的第一輸入端耦接至所述噪聲過(guò)濾單元的輸出端以接收所述目標(biāo)脈沖信號(hào),所述比較單元用于根據(jù)所述目標(biāo)脈沖信號(hào)與參考電壓之間的比較來(lái)輸出所述數(shù)字電平信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的光芯片,其特征在于,所述二極管的正極耦接至所述光電轉(zhuǎn)換單元、以及所述二極管的負(fù)極耦接至所述比較單元的所述第一輸入端。
6.如權(quán)利要求5所述的光芯片,其特征在于,所述箝位電阻與所述光電轉(zhuǎn)換單元串聯(lián),所述箝位電阻的第一端耦接至所述光電轉(zhuǎn)換單元的一端和所述二極管的正極,所述箝位電阻的第二端接地,以及所述光電轉(zhuǎn)換單元的另一端接電源電壓。
7.如權(quán)利要求5所述的光芯片,其特征在于,所述光噪去除單元還包括:
參考電壓生成單元,所述參考電壓生成單元包括電阻和電容以構(gòu)成低通濾波器,所述電阻的一端耦接至所述二極管的負(fù)極、另一端耦接至所述電容的一端和所述比較單元的第二輸入端以提供所述參考電壓,以及所述電容的另一端接地。
8.如權(quán)利要求4所述的光芯片,其特征在于,所述噪聲過(guò)濾單元包括:
耦合電容,所述耦合電容的第一端耦接至所述光電轉(zhuǎn)換單元、以及第二端耦接至所述比較單元的所述第一輸入端。
9.如權(quán)利要求8所述的光芯片,其特征在于,所述光噪去除單元還包括:
第一分壓電阻,所述第一分壓電阻的第一節(jié)點(diǎn)耦接至電源電壓、第二節(jié)點(diǎn)接地、以及中間節(jié)點(diǎn)耦接至所述耦合電容的所述第二端和所述比較單元的所述第一輸入端,所述中間節(jié)點(diǎn)處的電壓在無(wú)所述信號(hào)光源照射情況下小于所述參考電壓、而在有所述信號(hào)光源照射的情況下大于所述參考電壓。
10.如權(quán)利要求4所述的光芯片,其特征在于,所述比較單元包括:
比較器,所述比較器的正輸入端子是所述比較單元的所述第一輸入端、以及負(fù)輸入端子接收所述參考電壓。
11.如權(quán)利要求10所述的光芯片,其特征在于,所述光噪去除單元還包括:
參考電壓生成單元,所述參考電壓生成單元耦接至所述比較器的所述負(fù)輸入端子以提供所述參考電壓。
12.如權(quán)利要求11所述的光芯片,其特征在于,所述參考電壓生成單元包括:
第二分壓電阻,所述第二分壓電阻的第一節(jié)點(diǎn)耦接至電源電壓、第二節(jié)點(diǎn)接地、以及中間節(jié)點(diǎn)耦接至所述比較器的所述負(fù)輸入端子以提供所述參考電壓。
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