[發明專利]一種全波電感電流采樣電路

有效

• 申請號: 201610131510.1
• 申請日: 2016-03-08
• 公開（公告）號: CN105763047B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 鄭彥祺;祝磊;陳彪;郭建平;陳弟虎
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155;H02M1/32;G01R19/00
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 胡輝

1.一種全波電感電流采樣電路，其特征在于：包括系統功率級電路、比例MOS管電流采樣電路、電壓轉電流及電流求和電路和采樣直流校正及采樣積分電路，所述系統功率級電路的第一輸出端通過比例MOS管電流采樣電路進而連接至采樣直流校正及采樣積分電路的第一輸入端，所述系統功率級電路的第二輸出端通過電壓轉電流及電流求和電路進而連接至采樣直流校正及采樣積分電路的第二輸入端。

2.根據權利要求1所述的一種全波電感電流采樣電路，其特征在于：所述系統功率級電路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和電感，所述第一PMOS管的源極分別與比例MOS管電流采樣電路的輸入端和電壓輸入端連接，所述第一PMOS管的漏極分別與比例MOS管電流采樣電路的第二輸入端、第一NMOS管的漏極和電壓轉電流及電流求和電路的輸入端連接，所述第一PMOS管的漏極通過電感連接至第二NMOS管的漏極，所述第二NMOS管的漏極與電壓轉電流及電流求和電路的第三輸入端相連接。

3.根據權利要求2所述的一種全波電感電流采樣電路，其特征在于：所述電壓轉電流及電流求和電路包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一電阻、第二電阻、第一運算放大器和第二運算放大器，所述第二PMOS管的源極、第三PMOS管的源極、第四PMOS管的源極和第五PMOS管的源極均連接至電源端，所述第二PMOS管的柵極分別與第二PMOS管的漏極、第三NMOS管的漏極和第三PMOS管的柵極連接，所述第五PMOS管的柵極分別與第五PMOS管的漏極、第四NMOS管的漏極和第四PMOS管的柵極連接，所述第三PMOS管的漏極分別與采樣直流校正及采樣積分電路的第二輸入端和第五NMOS管的漏極連接，所述第四PMOS管的漏極分別與第六NMOS管的漏極、第六NMOS管的柵極和第五NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的柵極與第一運算放大器的輸出端連接，所述第三NMOS管的源極分別與第一電阻的第一端和第一運算器的反相輸入端連接，所述第一運算器的同相輸入端與第一PMOS管的漏極連接，所述第四NMOS管的柵極與第二運算放大器的輸出端連接，所述第四NMOS管的源極分別與第二電阻的第一端和第二運算器的反相輸入端連接，所述第二運算器的同相輸入端與第二NMOS管的漏極連接。

4.根據權利要求3所述的一種全波電感電流采樣電路，其特征在于：所述采樣直流校正及采樣積分電路包括緩沖器、開關和采樣積分電容，所述比例MOS管電流采樣電路的輸出端與緩沖器的輸入端連接，所述緩沖器的輸出端通過開關連接至采樣積分電容的第一端，所述采樣積分電容的第一端連接至第三PMOS管的漏極。

5.根據權利要求3所述的一種全波電感電流采樣電路，其特征在于：所述采樣直流校正及采樣積分電路包括第三運算放大器、采樣積分電容、第一電容、第二電容、第三電阻、第四電阻、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管和第十一NMOS管，所述比例MOS管電流采樣電路的輸出端連接至第三運算放大器的反相輸入端，所述第三運算放大器的輸出端分別與第一電容的第一端和第七NMOS管的柵極連接，所述第三運算放大器的輸出端通過第三電阻連接至第二電容的第一端，所述第六PMOS管的源極、第七PMOS管的源極和第八PMOS管的源極均連接至電源端，所述第六PMOS管的柵極分別與第六PMOS管的漏極和第七NMOS管的漏極連接，所述第七PMOS管的柵極分別與第七PMOS管的漏極、第八PMOS管的柵極和第八NMOS管的漏極相連接，所述第七NMOS管的源極分別與第四電阻的第一端和第九NMOS管的漏極連接，所述第八NMOS管的源極分別與第四電阻的第二端和第十NMOS管的漏極連接，所述第九NMOS管的柵極、第十NMOS管的柵極和第十一NMOS管的柵極均連接至偏置電壓端，所述第三運算放大器的同相輸入端分別與第八PMOS管的漏極、第十一NMOS管的漏極、采樣積分電容的第一端和第三PMOS管的漏極相連接。