[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610129930.6
• 申請日: 2016-03-07
• 公開（公告）號: CN105589273B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 木素真
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基底以及設置在所述基底上的公共電極層、薄膜晶體管陣列、像素電極圖形、數(shù)據(jù)線圖形、柵線圖形、公共電極走線圖形和連接部圖形；

其中，相鄰兩行像素之間設置有一個柵線組，每一柵線組包含兩條柵線，相鄰兩列數(shù)據(jù)線之間間隔有兩列像素；

每一條數(shù)據(jù)線在每一個柵線組的位置處連接兩個薄膜晶體管，每一個薄膜晶體管對應連接一條柵線；

所述公共電極走線圖形與所述數(shù)據(jù)線圖形同層設置，包含多組行方向公共電極走線；每一組行方向公共電極走線設置在相鄰兩行的像素之間；其中的每一條行方向公共電極走線位于相鄰兩列數(shù)據(jù)線之間的閑置區(qū)域，所述閑置區(qū)域在列方向上與各個薄膜晶體管對齊；

所述連接部圖形包含多個連接部，每一個連接部設置在數(shù)據(jù)線與柵線組交疊的位置處；在每一條行方向公共電極走線的端部與連接部之間的層結構中設置有過孔，所述連接部通過該過孔將相鄰兩條行方向公共電極走線連接；

各條行方向公共電極走線與公共電極層之間的層結構在多條行方向公共電極走線的位置處還設置有過孔，行方向公共電極走線與公共電極層通過該過孔相連。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極走線圖形還包括多條列方向公共電極走線；每一條列方向公共電極走線對應設置在相鄰兩列數(shù)據(jù)線之間的相鄰兩列像素之間；行方向公共電極走線和列方向公共電極走線相連。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：所述公共電極走線圖形還包括多組行方向的輔助公共電極走線；

每一組輔助公共電極走線在列方向上位于一行像素電極的彎折處，其中的每一條輔助公共電極走線位于相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間；并與列方向公共電極走線相連。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

每一條數(shù)據(jù)線在每一個柵線組的位置處所連接的兩個薄膜晶體管中，每一個薄膜晶體管對應連接一條柵線，位于所連接的柵線遠離另一條柵線的一側，且該薄膜晶體管還連接位于該柵線遠離另一條柵線的一側的像素行中的一個像素電極；

各條數(shù)據(jù)線中在同一柵線組的位置處所連接的各個薄膜晶體管中，第一薄膜晶體管位于該柵線組的同一側，第二薄膜晶體也位于該柵線組的同一側；其中第一薄膜晶體管為位于對應數(shù)據(jù)線的左側的薄膜晶體管，第二薄膜晶體管為位于對應數(shù)據(jù)線的右側的薄膜晶體管；

同一條數(shù)據(jù)線在相鄰兩個柵線組的位置處所連接的四個薄膜晶體管中；其中一個第一薄膜晶體管位于對應柵線組的第一側，另一個第一薄膜晶體管位于對應柵線組的第二側；一個第二薄膜晶體管位于對應柵線組的第一側，另一個第二薄膜晶體管位于對應柵線組的第二側；

每一條行方向公共電極走線的左端在列方向上的位置與左側數(shù)據(jù)線所連接的第一薄膜晶體管相對，右端在列方向上的位置與右側數(shù)據(jù)線所連接的第二薄膜晶體管相對。

5.如權利要求1的陣列基板，其特征在于，所述連接部圖形與所述像素電極圖形同層設置。

6.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：所述公共電極層設置在所述基底上，薄膜晶體管陣列、數(shù)據(jù)線圖形、柵線圖形、公共電極走線圖形和連接部圖形設置在所述公共電極層的上方。