[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 201610129662.8 | 申請日: | 2013-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN105789177B | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發明(設計)人: | 李勝源 | 申請(專利權)人: | 威盛電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 葛青 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
第一絕緣層及第二絕緣層,依序設置于一基底上,其中該基底具有一中心區域;
第一繞線部及第二繞線部,設置于該第二絕緣層內并圍繞該中心區域,且分別包括由內向外排列的第一導線層、第二導線層及第三導線層,且多個第一導線層、多個第二導線層及多個第三導線層分別具有第一端及第二端,其中該多個第一導線層的多個第一端互相耦接;以及
耦接部,設置于該第一繞線部及該第二繞線部之間的該第一絕緣層及該第二絕緣層內,且該耦接部包括:
第一對連接層,交錯連接該多個第一導線層及該多個第二導線層的多個第二端;以及
第二對連接層,交錯連接該多個第二導線層及該多個第三導線層的多個第一端;
其中該第一導線層與相鄰的該第二導線層之間具有多個不同的間距,且其中該第一導線層與相鄰的該第二導線層之間的至少一間距大于該第二導線層與相鄰的該第三導線層之間的間距。
2.如權利要求1所述的半導體裝置,還包括第三延伸部,設置于該第一絕緣層內,連接至該第一導線層或該第二導線層。
3.如權利要求2所述的半導體裝置,其中該第三延伸部連接至一靜電放電防護裝置。
4.如權利要求2所述的半導體裝置,還包括第一延伸部及第二延伸部,設置于該第二絕緣層內,對應連接至該多個第三導線層的多個第二端且彼此平行,其中該第一延伸部及該第二延伸部的延伸方向垂直于該第三延伸部的延伸方向。
5.如權利要求1所述的半導體裝置,其中該第一繞線部及該第二繞線部分別還包括第四導線層,位于該第三導線層的外側且分別具有第一端及第二端,且其中該耦接部還包括第三對連接層,交錯連接該多個第三導線層及多個第四導線層的多個第二端。
6.如權利要求5所述的半導體裝置,還包括第一延伸部、第二延伸部及第三延伸部,該第一延伸部及該第二延伸部設置于該第二絕緣層內,對應連接至該多個第四導線層的多個第一端且彼此平行,該第三延伸部設置于該第一絕緣層內,連接至該第一導線層或該第二導線層,其中該第一延伸部及該第二延伸部的延伸方向垂直于該第三延伸部的延伸方向。
7.如權利要求1所述的半導體裝置,其中該第一對連接層及該第二對連接層包括分別設置于該第一絕緣層及該第二絕緣層內的兩個跨接層。
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