[發明專利]去氣腔室

有效

• 申請號: 201610129184.0
• 申請日: 2016-03-08
• 公開（公告）號: CN105734522B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 佘清;侯玨;葉華
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

1.一種去氣腔室，包括真空腔、輻射源，其特征在于，所述輻射源設置在所述真空腔中，以直接對放置于真空腔內，且位于所述輻射源下方的待處理晶片進行輻射加熱，所述真空腔包括下腔體和輻射源安裝座，所述安裝座設置于所述下腔體頂部，所述輻射源安裝在所述安裝座上，所述去氣腔室還包括上腔體，所述安裝座設置于所述上腔體底部，所述輻射源經上腔體壁上設置的帶有密封結構的接線柱與真空腔的外部電連接。

2.如權利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述輻射源發射紅外光，對所述待處理晶片進行輻射加熱。

3.如權利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述輻射源為燈泡和/或燈管。

4.如權利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，在所述下腔體和輻射源安裝座，以及所述上腔體和輻射源安裝座的連接處，均設有密封圈。

5.如權利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述接線柱安裝在所述上腔體的頂壁。

6.如權利要求1所述的去氣腔室，其特征在于，所述接線柱由陶瓷和瓷封金屬焊接制成。

7.一種物理氣相沉積設備，包括去氣腔室，預清洗腔室，工藝腔室，其特征在于，所述去氣腔室為權利要求1-6的任一項所述去氣腔室。