[發(fā)明專利]一種控制電加熱器功率的方法和制熱設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610129013.8
• 申請(qǐng)日: 2016-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN105739568B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陽丹;高向軍;王星睿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川長虹電器股份有限公司
• 主分類號(hào): G05D23/30
• 分類號(hào): G05D23/30
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種控制電加熱器功率的方法，應(yīng)用于一制熱設(shè)備，所述制熱設(shè)備包括電加熱器，其特征在于，包括：

獲得所述制熱設(shè)備的當(dāng)前溫度值；

基于所述當(dāng)前溫度值，向與所述電加熱器和電源連接的可控硅輸入目標(biāo)占空比的信號(hào)，或通過功率因數(shù)校正PFC單元將與所述電加熱器連接的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的占空比調(diào)整至所述目標(biāo)占空比，將所述電加熱器的功率調(diào)節(jié)至與所述當(dāng)前溫度值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)功率，以使所述電加熱器以所述目標(biāo)功率繼續(xù)加熱；其中，所述制熱設(shè)備中預(yù)先存儲(chǔ)有溫度值與目標(biāo)功率的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以及占空比與電加熱器功率的對(duì)應(yīng)關(guān)系，且所述可控硅對(duì)應(yīng)的目標(biāo)占空比為根據(jù)當(dāng)前溫度值與占空比的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定的，所述IGBT對(duì)應(yīng)的目標(biāo)占空比為根據(jù)占空比與電加熱器功率的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定的。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，向與所述電加熱器和電源連接的可控硅輸入目標(biāo)占空比的信號(hào)，包括：

基于所述當(dāng)前溫度值，確定輸入所述可控硅的目標(biāo)占空比；

向所述可控硅輸入所述目標(biāo)占空比的信號(hào)，以使所述電加熱器以所述目標(biāo)功率繼續(xù)加熱。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過功率因數(shù)校正PFC單元將與所述電加熱器連接的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的占空比調(diào)整至所述目標(biāo)占空比，包括：

基于所述當(dāng)前溫度值，確定輸入所述IGBT的目標(biāo)占空比；

通過所述PFC單元將輸入所述IGBT的占空比調(diào)整至所述目標(biāo)占空比，以使所述電加熱器以所述目標(biāo)功率繼續(xù)加熱。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在獲得所述制熱設(shè)備的當(dāng)前溫度值之前，還包括：

在啟動(dòng)所述電加熱器之前，獲得所述電源的電壓和所述制熱設(shè)備所在環(huán)境的溫度；

基于所述電源的電壓和所述所在環(huán)境的溫度，確定初始占空比；所述初始占空比為啟動(dòng)所述電加熱器時(shí)輸入所述可控硅的占空比；

向所述可控硅輸入所述初始占空比的信號(hào)，以啟動(dòng)所述電加熱器。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在獲得所述制熱設(shè)備的當(dāng)前溫度值之前，還包括：

在啟動(dòng)所述電加熱器之前，獲得所述電源的電壓、所述制熱設(shè)備所在環(huán)境的溫度和所述電加熱器的額定功率；

基于所述電源的電壓和所述額定功率，控制所述PFC單元輸出與所述額定功率對(duì)應(yīng)的直流電壓；

基于所述直流電壓和所述所在環(huán)境的溫度，確定初始占空比；所述初始占空比為啟動(dòng)所述電加熱器時(shí)輸入所述IGBT的占空比；

向所述IGBT輸入所述初始占空比，以啟動(dòng)所述電加熱器。

6.一種制熱設(shè)備，所述制熱設(shè)備包括電加熱器，其特征在于，包括：

第一獲得單元，用于獲得所述制熱設(shè)備的當(dāng)前溫度值；

功率調(diào)節(jié)單元，用于基于所述當(dāng)前溫度值，向與所述電加熱器和電源連接的可控硅輸入目標(biāo)占空比的信號(hào)，或通過功率因數(shù)校正PFC單元將與所述電加熱器連接的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的占空比調(diào)整至所述目標(biāo)占空比，將所述電加熱器的功率調(diào)節(jié)至與所述當(dāng)前溫度值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)功率，以使所述電加熱器以所述目標(biāo)功率繼續(xù)加熱；其中，所述制熱設(shè)備中預(yù)先存儲(chǔ)有溫度值與目標(biāo)功率的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以及占空比與電加熱器功率的對(duì)應(yīng)關(guān)系，且所述可控硅對(duì)應(yīng)的目標(biāo)占空比為根據(jù)當(dāng)前溫度值與占空比的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定的，所述IGBT對(duì)應(yīng)的目標(biāo)占空比為根據(jù)占空比與電加熱器功率的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定的。

7.如權(quán)利要求6所述的制熱設(shè)備，其特征在于，所述制熱設(shè)備還包括一可控硅，與所述電加熱器和電源連接，所述功率調(diào)節(jié)單元用于基于所述當(dāng)前溫度值，確定輸入所述可控硅的目標(biāo)占空比；向所述可控硅輸入所述目標(biāo)占空比的信號(hào)，以使所述電加熱器以所述目標(biāo)功率繼續(xù)加熱。