[發明專利]一種控制電加熱器功率的方法和制熱設備

有效

• 申請號: 201610129013.8
• 申請日: 2016-03-07
• 公開（公告）號: CN105739568B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 陽丹;高向軍;王星睿
• 申請（專利權）人: 四川長虹電器股份有限公司
• 主分類號: G05D23/30
• 分類號: G05D23/30
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種控制電加熱器功率的方法，應用于一制熱設備，所述制熱設備包括電加熱器，其特征在于，包括：

獲得所述制熱設備的當前溫度值；

基于所述當前溫度值，向與所述電加熱器和電源連接的可控硅輸入目標占空比的信號，或通過功率因數校正PFC單元將與所述電加熱器連接的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的占空比調整至所述目標占空比，將所述電加熱器的功率調節至與所述當前溫度值對應的目標功率，以使所述電加熱器以所述目標功率繼續加熱；其中，所述制熱設備中預先存儲有溫度值與目標功率的對應關系，以及占空比與電加熱器功率的對應關系，且所述可控硅對應的目標占空比為根據當前溫度值與占空比的對應關系確定的，所述IGBT對應的目標占空比為根據占空比與電加熱器功率的對應關系確定的。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，向與所述電加熱器和電源連接的可控硅輸入目標占空比的信號，包括：

基于所述當前溫度值，確定輸入所述可控硅的目標占空比；

向所述可控硅輸入所述目標占空比的信號，以使所述電加熱器以所述目標功率繼續加熱。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過功率因數校正PFC單元將與所述電加熱器連接的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的占空比調整至所述目標占空比，包括：

基于所述當前溫度值，確定輸入所述IGBT的目標占空比；

通過所述PFC單元將輸入所述IGBT的占空比調整至所述目標占空比，以使所述電加熱器以所述目標功率繼續加熱。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在獲得所述制熱設備的當前溫度值之前，還包括：

在啟動所述電加熱器之前，獲得所述電源的電壓和所述制熱設備所在環境的溫度；

基于所述電源的電壓和所述所在環境的溫度，確定初始占空比；所述初始占空比為啟動所述電加熱器時輸入所述可控硅的占空比；

向所述可控硅輸入所述初始占空比的信號，以啟動所述電加熱器。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，在獲得所述制熱設備的當前溫度值之前，還包括：

在啟動所述電加熱器之前，獲得所述電源的電壓、所述制熱設備所在環境的溫度和所述電加熱器的額定功率；

基于所述電源的電壓和所述額定功率，控制所述PFC單元輸出與所述額定功率對應的直流電壓；

基于所述直流電壓和所述所在環境的溫度，確定初始占空比；所述初始占空比為啟動所述電加熱器時輸入所述IGBT的占空比；

向所述IGBT輸入所述初始占空比，以啟動所述電加熱器。

6.一種制熱設備，所述制熱設備包括電加熱器，其特征在于，包括：

第一獲得單元，用于獲得所述制熱設備的當前溫度值；

功率調節單元，用于基于所述當前溫度值，向與所述電加熱器和電源連接的可控硅輸入目標占空比的信號，或通過功率因數校正PFC單元將與所述電加熱器連接的絕緣柵雙極型晶體管IGBT的占空比調整至所述目標占空比，將所述電加熱器的功率調節至與所述當前溫度值對應的目標功率，以使所述電加熱器以所述目標功率繼續加熱；其中，所述制熱設備中預先存儲有溫度值與目標功率的對應關系，以及占空比與電加熱器功率的對應關系，且所述可控硅對應的目標占空比為根據當前溫度值與占空比的對應關系確定的，所述IGBT對應的目標占空比為根據占空比與電加熱器功率的對應關系確定的。

7.如權利要求6所述的制熱設備，其特征在于，所述制熱設備還包括一可控硅，與所述電加熱器和電源連接，所述功率調節單元用于基于所述當前溫度值，確定輸入所述可控硅的目標占空比；向所述可控硅輸入所述目標占空比的信號，以使所述電加熱器以所述目標功率繼續加熱。