[發明專利]一種基于卷曲薄膜的光學氫氣檢測器及其制備方法有效
| 申請號： | 201610128635.9 | 申請日： | 2016-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN105758800B | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 梅永豐;胥博瑞 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | G01N21/01 | 分類號： | G01N21/01;G01N21/17 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 卷曲 薄膜 光學 氫氣 檢測器 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于卷曲薄膜的光學氫氣檢測器的制備方法，其特征在于具體步驟如下：
（1）清洗基片；
（2）在基片上光刻圖形；
（3）使用薄膜沉積方法在基片上沉積具有內應力的金屬薄膜；該金屬薄膜材料為鈦、鉻、鐵、鈷、鎳、銅、鋁的單一組分，或是這些金屬中的幾種構成的多層金屬薄膜；金屬薄膜厚度為5-200納米；
（4）使用薄膜沉積方法在基片上沉積具有氫氣體積膨脹效應的金屬薄膜；該金屬薄膜材料為鉑、鈀的單一組分，或是含有這些金屬組分的合金；金屬薄膜厚度為5-200納米；
（5）選擇性腐蝕光刻膠得到卷曲薄膜；
所述卷曲薄膜通入氫氣后，微米管的直徑增加或由卷曲形態轉變為平展狀態，由此引起肉眼可見的顏色變化，實現對氫氣的檢測功能。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于步驟（1）中所用的基片為硅片、玻璃片或石英片的其中一種。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于步驟（3）-（4）中所用的薄膜沉積方法是指熱蒸發沉積、電子束蒸發沉積、激光脈沖沉積或磁控濺射。
4.由權利要求1-3之一所述的制備方法得到的基于卷曲薄膜的光學氫氣檢測器。
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