[發(fā)明專利]濕法刻蝕設(shè)備及濕法刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610128624.0
• 申請日: 2016-03-07
• 公開（公告）號: CN105742213B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/3213
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

1.一種濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，包括：

金屬離子濃度調(diào)節(jié)裝置，用于調(diào)節(jié)刻蝕液中金屬離子的濃度；所述金屬離子濃度調(diào)節(jié)裝置包括金屬離子提供源，所述金屬離子提供源包括金屬材料，刻蝕液通過與所述金屬材料接觸并發(fā)生化學反應(yīng)以調(diào)節(jié)刻蝕液中金屬離子的濃度；

噴淋裝置，所述噴淋裝置與所述金屬離子濃度調(diào)節(jié)裝置相連，所述噴淋裝置用于噴灑所述刻蝕液；

控制裝置，所述控制裝置用于控制所述金屬離子濃度調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)刻蝕液中金屬離子的濃度，使刻蝕液中金屬離子的濃度達到預設(shè)值，而后將調(diào)節(jié)后的刻蝕液通過所述噴淋裝置噴灑至待刻蝕金屬上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述金屬材料呈粉末狀或顆粒狀，所述金屬離子提供源還包括用于盛放所述金屬材料的承載容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述金屬材料呈薄膜狀，所述金屬離子提供源還包括用于承載所述金屬材料的承載基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述金屬離子濃度調(diào)節(jié)裝置包括至少一路調(diào)節(jié)支路，每一路調(diào)節(jié)支路均設(shè)有所述金屬離子提供源以及用于控制自身通斷的第一閥門。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述金屬離子濃度調(diào)節(jié)裝置包括多路所述調(diào)節(jié)支路。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括儲液罐、刻蝕液回收裝置以及刻蝕支路：

所述儲液罐用于存儲刻蝕液，包括用于輸入刻蝕液的輸入口以及用于輸出刻蝕液的輸出口；

所述刻蝕液回收裝置與所述儲液罐的輸入口相連，所述刻蝕液回收裝置用于將所述噴淋裝置噴灑的刻蝕液回收至所述儲液罐；

所述刻蝕支路的輸入口、所述調(diào)節(jié)支路的輸入口與所述儲液罐的輸出口相連，所述刻蝕支路的輸出口、所述調(diào)節(jié)支路的輸出口與所述噴淋裝置相連，所述刻蝕支路上還設(shè)置有在對待刻蝕金屬進行刻蝕時用于調(diào)節(jié)刻蝕液流量的第二閥門。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述刻蝕液回收裝置包括刻蝕腔室以及將所述刻蝕腔室與所述儲液罐的輸入口相連的回流管路，所述噴淋裝置設(shè)置在所述刻蝕腔室內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括用于對輸入所述噴淋裝置的刻蝕液進行過濾的過濾器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括用于檢測刻蝕液中金屬離子濃度的金屬離子濃度檢測裝置。

10.一種濕法刻蝕方法，其特征在于，包括：

刻蝕液通過與金屬材料接觸并發(fā)生化學反應(yīng)以調(diào)節(jié)刻蝕液中金屬離子的濃度，使得待刻蝕金屬的刻蝕速率保持穩(wěn)定；

檢測所述調(diào)節(jié)后的刻蝕液中所述金屬離子的濃度，若所述調(diào)節(jié)后的刻蝕液中所述金屬離子的濃度達到預設(shè)值，則將所述調(diào)節(jié)后的刻蝕液噴灑至所述待刻蝕金屬上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的濕法刻蝕方法，其特征在于，所述金屬離子為Cu離子，所述預設(shè)值大于或等于300ppm。