[發明專利]半導體封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610126464.6
• 申請日: 2016-03-04
• 公開（公告）號: CN107154359B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 謝智正
• 申請（專利權）人: 無錫旭康微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/367;H01L23/498
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 王月春;武玉琴

1.一種半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一表面貼合元件，該第一表面貼合元件由一第一芯片與一第一導電架所構成，其中該第一導電架包含一第一載板與一第一金屬件，該第一載板與該第一金屬件相連并形成一第一容置區，并使該第一芯片位于該第一容置區，該第一芯片的一第一側電性相接該第一載板；

提供一第一電路板與該第一表面貼合元件結合，其中該第一芯片的第二側與該第一金屬件分別通過一第一焊墊、一第二焊墊連接到該第一電路板，該第一焊墊與該第二焊墊連接于該第一電路板上的同一平面；以及

提供一第二電路板，與該第一載板相對于該第一電路板與該第一芯片的一側面連接，使該第一表面貼合元件位于該第一電路板以及該第二電路板之間；

該提供該第二電路板步驟后，更進一步包括：

形成一閉回路金屬環，設置于該第一電路板與該第二電路板之間，并圍繞該第一表面貼合元件，該閉回路金屬環進一步包含有設置于該第一電路板朝向該第二電路板一側面的第一閉回路金屬環、設置于該第二電路板朝向該第一電路板一側面的第二閉回路金屬環，以及連接于該第一閉回路金屬環和該第二閉回路金屬環之間的金屬柱。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，該第一表面貼合元件還包括一第一強化芯片，通過該第一電路板上的一金屬層連接到該第一芯片的該第二側。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，提供一第二電路板的步驟后，更進一步包括：

涂布固定膠于該第一電路板以及該第二電路板之間。

4.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制造方法，其特征在于，在提供該第一表面貼合元件的步驟前，包括：

使用蝕刻法、沖壓法、黏接法、植球法以及印刷法其中之一，在該第一導電架上形成該第一金屬件。

5.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

一第一表面貼合元件，包括有：

一第一導電架，包含一第一載板與一第一金屬件，該第一載板與該第一金屬件相連并形成一第一容置區；及

一第一芯片，位于該第一容置區，該第一芯片的一第一側電性連接該第一載板；

一第一電路板，與該第一表面貼合元件結合，該第一芯片的第二側與該第一金屬件分別通過一第一焊墊、一第二焊墊連接到該第一電路板，該第一焊墊與該第二焊墊連接于該第一電路板上的同一平面；以及

一第二電路板，與該第一載板相對于該第一電路板與該第一芯片的一側面連接，使該第一表面貼合元件位于該第一電路板以及該第二電路板之間；

一閉回路金屬環，設置于該第一電路板與該第二電路板之間，并圍繞該第一表面貼合元件，該閉回路金屬環進一步包含有設置于該第一電路板朝向該第二電路板一側面的第一閉回路金屬環、設置于該第二電路板朝向該第一電路板一側面的第二閉回路金屬環，以及連接于該第一閉回路金屬環和該第二閉回路金屬環之間的金屬柱。

6.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第一表面貼合元件還包括一第一強化芯片，通過該第一電路板上的一金屬層連接到該第一芯片的該第二側。

7.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第一芯片為絕緣柵極雙極型電晶體或金屬氧化物半導體場效電晶體，該第一強化芯片為功率二極管。

8.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括有：

一第二表面貼合元件，包括有：

一第二導電架，包含一第二載板與一第二金屬件，該第二載板與該第二金屬件相連形成一第二容置區；及

一第二芯片，位于該第二容置區，該第二芯片的一第一側電性連接于該第二載板；

其中該第二芯片的該第二側與該第二金屬件分別通過一第三焊墊、一第四焊墊連接到該第一電路板。

9.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包含有一第一散熱片以及一第二散熱片，該第一散熱片相接于該第一電路板，該第二散熱片相接于該第二電路板。