[發明專利]沉積氧化物薄膜的方法、有機場效應晶體管及其制備方法有效
| 申請號： | 201610125626.4 | 申請日： | 2016-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN105609637B | 公開（公告）日： | 2017-12-19 |
| 發明（設計）人： | 王新煒;高源鴻;邵友東;孟鴻 | 申請（專利權）人： | 北京大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | H01L51/05 | 分類號： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,劉文求 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 沉積 氧化物 薄膜 方法 有機 場效應 晶體管 及其 制備 | ||
1.一種利用原子層沉積技術在有機半導體上沉積氧化物薄膜的方法，其特征在于，包括步驟：
A、將待處理的有機半導體裝入氣相原子層沉積裝置的真空反應腔體；
B、對真空反應腔體進行抽真空，維持真空反應腔體跟外部空氣環境的有效隔離，并維持真空反應腔體的內部溫度為20~100℃；
C、向真空反應腔體中通入第一種氣相前驅體，使其吸附在材料表面；
D、通入載氣將真空反應腔體中多余的第一種氣相前驅體清除；
E、向真空反應腔體中通入第二種氣相前驅體，使之與吸附在材料表面的第一種氣相前驅體反應，形成氧化物薄膜；所述第二種氣相前驅體為非氧化性的前驅體；
F、通入載氣將真空反應腔體中多余的第二種氣相前驅體清除；
重復步驟C至F直到獲得設定厚度的氧化物薄膜；
所述氧化物薄膜的厚度為1~5nm。
2.根據權利要求1所述的利用原子層沉積技術在有機半導體上沉積氧化物薄膜的方法，其特征在于，所述氧化物薄膜為VOx、MoOx、CuOx、ZnO、TiOx、WOx或NiOx。
3.根據權利要求1所述的利用原子層沉積技術在有機半導體上沉積氧化物薄膜的方法，其特征在于，所述有機半導體為p型有機半導體或n型有機半導體。
4.根據權利要求1所述的利用原子層沉積技術在有機半導體上沉積氧化物薄膜的方法，其特征在于，所述氧化物薄膜為VOx，x為2~2.5。
5.根據權利要求4所述的利用原子層沉積技術在有機半導體上沉積氧化物薄膜的方法，其特征在于，所述第一種氣相前驅體為V(dma)4，所述第二種氣相前驅體為H2O。
6.根據權利要求4所述的利用原子層沉積技術在有機半導體上沉積氧化物薄膜的方法，其特征在于，所述第一種氣相前驅體由作為N2載氣傳輸到真空反應腔體中。
7.一種有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、清洗襯底；
B、將襯底浸入配制好的OTS溶液中；
C、將經過OTS處理的襯底轉移到真空蒸鍍腔體內進行有機半導體薄膜沉積；
D、然后在有機半導體薄膜表面利用低溫ALD沉積一層氧化物薄膜；所述低溫的溫度范圍為20~100℃；
E、最后真空蒸鍍源/漏電極。
8.根據權利要求7所述的有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于，在所述步驟E之后還包括：
在所述氧化物薄膜上沉積一層Al2O3鈍化層。
9.一種有機場效應晶體管，其特征在于，采用如權利要求7或8所述的制備方法制成。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
