[發明專利]發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 201610124515.1
• 申請日: 2016-03-04
• 公開（公告）號: CN105679901B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 孫玉芹;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在所述襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層和P型GaN載流子層，所述多量子阱有源層包括交替生長的多個InGaN阱層和多個GaN壘層；

其特征在于，所述發光二極管外延片還包括：設置在所述N型GaN層和所述多量子阱有源層之間的電流擴展層，所述電流擴展層的結構為n個周期的GaN/Al_xGaN/Al_yGaN，0.1≤x≤0.35，沿所述N型GaN層到所述多量子阱有源層的方向，y的取值按如下方式變化：從x遞減到0，n為正整數。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，2≤n≤10。

3.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，每個周期中GaN的厚度d1：5nm≤d1≤30nm，每個周期中Al_xGaN和Al_yGaN的厚度均為d2：3nm≤d2≤15nm。

4.根據權利要求1-3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，在所述電流擴展層中，GaN的摻Si量m1為：0sccm≤m1≤30sccm，Al_xGaN和Al_yGaN層的摻Si量均為m2：10sccm≤m2≤30sccm。

5.根據權利要求1-3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述u型GaN層的厚度為1～4um。

6.一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長u型GaN層和N型GaN層；

在所述N型GaN層上生長電流擴展層，所述電流擴展層的結構為n個周期的GaN/Al_xGaN/Al_yGaN，0.1≤x≤0.35，沿所述N型GaN層到多量子阱有源層的方向，y的取值按如下方式變化：從x遞減到0，n為正整數；

在所述電流擴展層上生長所述多量子阱有源層，所述多量子阱有源層包括交替生長的多個InGaN阱層和多個GaN壘層；

在所述多量子阱有源層上生長P型GaN載流子層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，2≤n≤10。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，每個周期中GaN的厚度d1：5nm≤d1≤30nm，每個周期中Al_xGaN和Al_yGaN的厚度均為d2：3nm≤d2≤15nm。

9.根據權利要求6-8任一項所述的方法，其特征在于，在所述電流擴展層中，GaN的摻Si量m1為：0sccm≤m1≤30sccm，Al_xGaN和Al_yGaN層的摻Si量均為m2：10sccm≤m2≤30sccm。

10.根據權利要求6-8任一項所述的方法，其特征在于，所述u型GaN層的厚度為1～4um。