[發(fā)明專利]氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610122812.2 | 申請日： | 2012-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN105633234A | 公開（公告）日： | 2016-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 莊家銘;徐宸科;黃惠葵;范慧麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 半導(dǎo)體 生長 襯底 及其 制作方法 | ||
1.氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底，其包含：
一金屬基板；
一晶格緩沖層，形成于所述金屬基板上，其由類鉆石薄膜構(gòu)成；
一晶格轉(zhuǎn)換層，形成于晶格緩沖層，其晶格系數(shù)介于GaN與類鉆石薄膜之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底，其特征在于：所述金屬基板選自碳化鎢基板、鎢基板、碳化硅或鋼材基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底，其特征在于：還包括一種子層，其介于基板與晶格緩沖層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底，其特征在于：所述種子層的材料選自鉻、鈦或鎳。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底，其特征在于：所述晶格緩沖層的材料選自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化鈦-DLC。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底，其特征在于：所述晶格轉(zhuǎn)換層的材料為氮化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底，其特征在于：所述晶格轉(zhuǎn)換層的材料選自氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鎵、氮化鎵銦、氮化銦或氮化鋁鎵銦。
8.氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底的制作方法，其包括如下步驟：
提供一金屬基板；
在所述金屬基板上形成一類鉆石薄膜，作為晶格緩沖層；
在所述晶格緩沖層上形成一晶格轉(zhuǎn)換層，其晶格系數(shù)介于GaN與類鉆石薄膜之間，構(gòu)成氮化鎵基生長基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底的制作方法，其特征在于：所述類鉆石薄膜通過磁控濺鍍法、離子蒸鍍法、電弧離子蒸鍍法，或電漿輔助化學(xué)氣相沉積法形成于金屬基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化鎵基半導(dǎo)體生長襯底的制作方法，其特征在于：先在所述金屬基板上形成一種子層，再在所述種子層上形成晶格緩沖層的材料選自選自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化鈦-DLC。
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