[發(fā)明專利]一種提高光電傳感器及感光材料弱光檢測能力的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610122614.6 | 申請日: | 2016-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN105590941B | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 肖麗君;馬熠程;胡曉宏;茅克;柳崧軼;劉福媚;紀紅;王姍姍 | 申請(專利權(quán))人: | 北華大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
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| 地址: | 132013 吉林*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 光電 傳感器 感光材料 弱光 檢測 能力 方法 | ||
1.一種提高光電傳感器及感光材料弱光檢測能力的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(1)向光電傳感器或感光材料照射一束或多束合適光譜的補充光,使傳感器在無信號光時的輸入和輸出均適度提高,調(diào)整補充光的光強使其超出傳感器最低照度進入其可測量范圍,或者處于其光照特性曲線線性區(qū)域的合適位置,從而改善其弱光檢測能力;
(2)執(zhí)行獨立的補充光測量過程,關(guān)閉信號光通道,測量、記錄上述補充光對光傳感器或感光材料的輸出帶來的“影響數(shù)據(jù)集”,具體包括:補充光測量模式:關(guān)閉被測光信號的光通路,通過對不經(jīng)過信號光鏡頭的,獨立照射到CMOS圖像傳感器焦平面上的補充光信號進行曝光測量,測量多組曝光快門速度、ISO參數(shù)與多種補充光信號強度的組合,并記錄為“補充光影響數(shù)據(jù)集”,選取其中與正式拍攝中相同參數(shù)的測量圖像作為“F(Lr)”;正式拍攝開始時,開啟拍攝模式:依據(jù)相機參數(shù)設定由測光系統(tǒng)判斷是否需要打開補充光信號并設定需要的補充光信號的強度,由人工控制補充光信號的設定,其余的曝光參數(shù)均相同,測光并設定后,打開相機電子快門開始曝光,被測光信號經(jīng)過光學凸透鏡組,聚焦圖像光信號于CMOS圖像傳感的焦平面上,同時補充光信號也打開并照射到CMOS圖像傳感器的焦平面上;曝光結(jié)束后關(guān)閉電子快門,同時阻斷被測光信號與補充光信號的作用,并關(guān)閉補充光光源,CMOS圖像傳感器在快門打開期間同時對被測光信號及補充光信號進行測量,并通過相機電路、數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)進行處理,保存為對被測光信號與補充光信號共同的測量圖像“F(LsLr)”;
(3)在信號光測量的時間窗口內(nèi),使所述的補充光按照設定的強度與被測光信號共同照射于光電傳感器或感光材料,共同參與光電傳感器的光電轉(zhuǎn)換過程或感光材料的光化學過程,使傳感器接收到的光強度大于單純來自信號源的光強度,從而適度地提高傳感器輸出,此后經(jīng)模擬和數(shù)字信號處理過程得到測量結(jié)果數(shù)據(jù);
(4)可以根據(jù)對測量數(shù)據(jù)的使用需要,選擇利用步驟(2)測量得到的“補充光影響數(shù)據(jù)集”,經(jīng)過信號處理或數(shù)字圖像處理方法消除補充光造成的測量結(jié)果數(shù)據(jù)值偏高的影響,該處理過程可以由光信號檢測設備本身來處理,也可以在測量結(jié)束后由其它設備處理,得到修正補充光影響后的結(jié)果數(shù)據(jù),對各種非線性傳感器的修正要依靠其各自的光照特性來處理,對線性傳感器,最簡單的線性修正算法是將測量數(shù)據(jù)減去補充光影響數(shù)據(jù):
F(Ls)=F(LsLr)-F(Lr)
設當其它曝光參數(shù)相同時,Ls為被測光信號;Lr為補充光信號;F(Lr)為測量得到的“補充光影響數(shù)據(jù)集”;F(LsLr)為測量得到的“補充光與信號光共同作用”的測量結(jié)果;F(Ls)為修正補充光影響后的結(jié)果數(shù)據(jù);“-”運算符為對應空間位置像素值或顏色值的減法運算。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





