[發明專利]一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法有效
| 申請號： | 201610121876.0 | 申請日： | 2016-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN105788863B | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發明（設計）人： | 陳鋼進;許海東;王振岳 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | H01G7/02 | 分類號： | H01G7/02;B81C99/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 王桂名 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聚偏氟乙烯薄膜 納米模板 制備 駐極體 極化 聚偏氟乙烯溶液 溶解形成溶液 聚偏氟乙烯 微納米結構 電暈極化 靜電效應 烤箱烘烤 模板表面 清洗烘干 體表面具 壓電效應 自然風干 玻璃片 納米級 凹孔 朝上 放入 駐極 薄膜 脫離 | ||
1.一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于以下步驟：
(1)將納米模板清洗烘干后放置到玻璃片上，納米模板表面設有很多納米級的凹孔，放置時模板表面朝上；
(2)將聚偏氟乙烯材料溶解形成聚偏氟乙烯溶液；
(3)將聚偏氟乙烯溶液涂于納米模板上，放入烤箱烘烤后自然風干，形成聚偏氟乙烯薄膜；
(4)將聚偏氟乙烯薄膜與納米模板分離；
(5)在高溫下對聚偏氟乙烯薄膜進行電暈極化，極化溫度為70℃～200℃，極化時間5-10分鐘。
2.根據權利要求1所述的一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于：所述的納米模板采用帶鋁金屬基底的單通多孔陽極氧化鋁納米模板。
3.根據權利要求1所述的一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于：所述的凹孔孔徑為50nm～200nm、孔間距為50nm～200nm、孔深為100nm～200nm。
4.根據權利要求1所述的一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于：所述聚偏氟乙烯溶液為聚偏氟乙烯溶解在N,N-二甲基甲酰胺中的溶液。
5.根據權利要求1所述的一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于：聚偏氟乙烯溶液涂于納米模板采用流延的方法，聚偏氟乙烯薄膜的厚度控制為100nm。
6.根據權利要求1所述的一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于：所述的聚偏氟乙烯薄膜與納米模板分離方式采用在緩水流下剝離的方法。
7.根據權利要求1所述的一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于：所述電暈極化時，電暈電極與聚偏氟乙烯薄膜表面的距離為3cm。
8.根據權利要求1所述的一種聚偏氟乙烯薄膜駐極體的制備方法，其特征在于：所述電暈極化時，極化溫度維持在100℃，用10kV的電壓充電5min。
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