[發明專利]一種OLED顯示裝置在審
| 申請號: | 201610121472.1 | 申請日: | 2016-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN107154415A | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | 王釗 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示器技術領域,尤其涉及一種OLED顯示裝置。
背景技術
現今主流的OLED顯示屏技術,均采用頂部發光(Top Emission)的OLED顯示裝置,利用微共振腔效應,可大幅增加發光強度,但其視角色偏情形也較為嚴重,且出光效率不高。
隨著顯示技術的發展,消費者對于顯示屏的要求越來越嚴苛,因此要求OLED顯示面板具有較小的視角色偏(Just noticeable color difference,簡稱JNCD)(轉換視角帶來的顏色偏差)。隨著OLED被應用于筆記本電腦、監視器、壁掛電視、穿戴式電子產品等輕薄型顯示器以后,對于OLED的功耗要求越來越低。同時OLED具有較高的效率。但是OLED顯示在追求越來越小的視角色偏的時候,同時會帶來效率越來越低的問題,這是本領域技術人員所不愿意看到的。
發明內容
針對上述存在的問題,本發明公開一種OLED顯示裝置,包括:
基板;
若干顯示器件,位于所述基板上,且任一所述顯示器件用以發射 單一顏色的光,所述若干顯示器件發射至少包括三種不同顏色的光;
其中,每個所述顯示器件均包括共振腔影響層,且發射的光的波長最小的顯示器件的共振腔影響層在若干所述顯示器件的共振腔影響層中具有最小的厚度,以降低該顯示器件的共振腔強度。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述若干顯示器件至少包括分別用以發射不同顏色的光的第一顯示器件、第二顯示器件和第三顯示器件;所述第一顯示器包括第一共振腔影響層、所述第二顯示器包括第二共振腔影響層,所述第三顯示器包括第三共振腔影響層;
所述第三共振腔影響層的厚度與所述第一共振腔影響層、第二共振腔影響層的厚度不相同。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第一顯示器件發射的光的波長大于所述第二顯示器件發射的光的波長,所述第二顯示器件發射的光的波長大于所述第三顯示器件發射的光的波長;
其中,所述第三共振腔影響層的厚度小于所述第一共振腔影響層和所述第二共振腔影響層的厚度。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第一顯示器件發射紅光,所述第二顯示器件發射綠光,所述第三顯示器件發射藍光。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第一顯示器件包括按照從下至上的順序依次設置的第一陽極、紅光發光層、第一陰極和第一光取出層;
所述第二顯示器件包括按照從下至上的順序依次設置的第二陽極、綠光發光層、第二陰極和第二光取出層;
所述第三顯示器件包括按照從下至上的順序依次設置的第三陽極、藍光發光層、第三陰極和第三光取出層。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第一共振腔影響層包括所述第一陽極、所述第一陰極和所述第一光取出層;
所述第二共振腔影響層包括所述第二陽極、所述第二陰極和所述第二光取出層;
所述第三共振腔影響層包括所述第三陽極、所述第三陰極和所述第三光取出層。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第三光取出層的折射率小于所述第一光取出層和/或所述第二光取出層的折射率。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第一陽極、第二陽極和第三陽極均包括金屬層和覆蓋所述金屬層的氧化層。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述金屬層的材質為銀。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述氧化層的材質為氧化銦錫或氧化銦鋅。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第三陽極與所述第一陽極、所述第二陽極的厚度之差均為50-150nm。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第三陰極與所述第一陰極、所述第二陰極的厚度之差均為3-10nm。
上述的OLED顯示裝置,其中,所述第三光取出層與所述第一光取出層和第二光取出層的厚度之差均為40-60nm。
本發明還公開了一種OLED顯示裝置,包括:
基板;
若干顯示器件,位于所述基板上,且任一所述顯示器件用以發射單一顏色的光,所述若干顯示器件發射至少包括三種不同顏色的光;
其中,每個所述顯示器件均包括光取出層,且發射的光的波長最小的顯示器件的光取出層在若干所述顯示器件的光取出層中具有最小的折射率,以降低該顯示器件的共振腔強度。
上述發明具有如下優點或者有益效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





