[發(fā)明專(zhuān)利]電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610120845.3 | 申請(qǐng)日： | 2016-03-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106876583B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳達(dá);王炳琨;廖紹憬;許博硯;陳宜秀;沈鼎瀛;吳伯倫;林孟弘 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L45/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 | ||
1.電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：
下部電極，設(shè)置于基底上；
上部電極，設(shè)置于所述下部電極上；
可變電阻層，設(shè)置于所述下部電極與所述上部電極之間；
氧交換層，設(shè)置于所述可變電阻層與所述上部電極之間，其中所述氧交換層、所述可變電阻層及所述下部電極的側(cè)壁連續(xù)地連接，所述氧交換層的外部分被局部氧化；
富氧層，設(shè)置于所述氧交換層與所述上部電極之間，所述富氧層的材料是氮氧化鈦或氮氧化鉭；
側(cè)壁保護(hù)層，為氧供應(yīng)層，至少設(shè)置于所述氧交換層的側(cè)壁；以及
阻擋層，設(shè)置于所述氧交換層與所述可變電阻層之間，其中所述阻擋層的側(cè)壁連續(xù)地連接所述氧交換層及所述可變電阻層的側(cè)壁，所述氧交換層與所述阻擋層的接面處不具有凸出的角部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述氧供應(yīng)層還設(shè)置于所述下部電極、所述可變電阻層以及所述上部電極的側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述下部電極、所述可變電阻層，以及所述氧交換層均呈上窄下寬。
4.電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：
下部電極，設(shè)置于基底上，所述下部電極與所述基底之間設(shè)置頂蓋層，其中所述頂蓋層的材料包括金屬氧化物；
上部電極，設(shè)置于所述下部電極上；
可變電阻層，設(shè)置于所述下部電極與所述上部電極之間；
氧交換層，設(shè)置于所述可變電阻層與所述上部電極之間，其中所述氧交換層、所述可變電阻層及所述下部電極的側(cè)壁連續(xù)地連接；富氧層，設(shè)置于所述氧交換層與所述上部電極之間，所述富氧層的材料是氮氧化鈦或氮氧化鉭；以及
側(cè)壁保護(hù)層，為蓋層，設(shè)置于所述下部電極、所述可變電阻層以及所述上部電極的側(cè)壁；以及
阻擋層，設(shè)置于所述氧交換層與所述可變電阻層之間，其中所述阻擋層的側(cè)壁連續(xù)地連接所述氧交換層及所述可變電阻層的側(cè)壁，所述氧交換層與所述阻擋層的接面處不具有凸出的角部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述蓋層的材料包括金屬氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述蓋層的材料還摻雜有氮。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述蓋層包括：
第一蓋層，設(shè)置于所述下部電極、所述可變電阻層以及所述上部電極的側(cè)壁；以及
第二蓋層，設(shè)置于所述第一蓋層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一蓋層的材料包括金屬氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二蓋層的材料包括氮化物或金屬鈦酸鹽類(lèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于，所述下部電極與所述可變電阻層均呈上窄下寬。
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