[發明專利]用于化學氣相沉積的具有鐵磁流體密封件的轉盤反應器

有效

• 申請號: 201610120769.6
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN105734532B
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: L·S·巴里斯;R·A·科穆納萊;R·P·弗雷姆根;A·I·古拉雷;T·A·盧斯;R·W·米爾蓋特三世;J·D·波洛克
• 申請（專利權）人: 維易科精密儀器國際貿易(上海)有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王初

1.一種用于化學氣相沉積的單基片載體，所述基片載體包括：

a)本體；

b)頂部表面，其具有用來接納基片的凹入區域；

c)圓化邊緣，其具有減小熱損失和增進流過所述基片的工藝氣體的均勻性的形狀；

d)大致平坦表面，其位于所述圓化邊緣的底部，用來定位在轉動空心圓筒介電支架的頂部上；以及

e)豎向邊沿，其定位成靠近所述圓化邊緣，該豎向邊沿與所述轉動空心圓筒介電支架的內表面對準，其中，所述轉動空心圓筒介電支架和所述基片載體各具有的熱膨脹系數被選擇為使得在所述轉動空心圓筒介電支架的所述內表面和所述豎向邊沿之間的間隙在操作中減小以便更牢固地保持所述基片載體從而減小擺動。

2.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述本體是圓形的。

3.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述基片載體由石墨、SiC、金屬以及陶瓷材料中的至少一者形成。

4.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述基片載體的凹入區域在局部區域中加工到預定深度輪廓，以獲得跨過所述基片載體的所需熱特性。

5.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述基片載體的凹入區域包括在局部區域中插入的材料，以獲得跨過所述基片載體的所需熱特性。

6.根據權利要求5所述的基片載體，其中，在所述局部區域中的材料的至少一種熱性能與形成所述基片載體的材料的熱性能不同。

7.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述基片載體的凹入區域包括多階底部表面。

8.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述凹入區域包括用來支承所述基片的接片。

9.根據權利要求8所述的基片載體，其中，所述接片的形狀是三角形的。

10.根據權利要求8所述的基片載體，其中，所述接片由一種材料形成，這種材料吸收當所述基片載體抵靠所述基片膨脹時產生的至少一些力。

11.根據權利要求8所述的基片載體，其中，所述接片減小隨著所述基片載體的溫度升高在所述基片上產生的機械應力。

12.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述圓化邊緣在整個邊緣上均勻地圓化。

13.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述圓化邊緣不均勻地圓化。

14.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述基片載體的重量選擇成使得：在處理和清洗期間，所述基片載體借助于摩擦力而連結至介電支架的頂部表面。

15.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述豎向邊沿的尺寸設定成用以在所需轉速下將所述基片載體固定到介電支架的頂部上。

16.根據權利要求1所述的基片載體，其中，所述基片載體由具有熱膨脹系數的材料形成，所述熱膨脹系數導致所述基片載體的膨脹，這種膨脹將所述基片載體更緊密地保持在所述轉動空心圓筒介電支架的頂部上。