[發明專利]一種表面增強拉曼散射襯底及其制備方法有效
| 申請號： | 201610120742.7 | 申請日： | 2016-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN105572100B | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 張志剛;李靜;尹君;吳敏;班榕檉 | 申請（專利權）人： | 張志剛 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 陣列模板 球形空殼 襯底 制備 表面增強拉曼散射 退火 微腔結構 沉積 復合 興奮劑檢測 薄膜覆蓋 氮氣氛圍 機制實現 模式耦合 食品安全 半球面 自組裝 共振 多極 空殼 靈敏 應用 檢測 | ||
1.一種表面增強拉曼散射襯底，其特征在于：包括球形空殼和薄膜，薄膜覆蓋在球形空殼的上半球面，構成復合微腔結構，所述的球形空殼為ZnO、TiO2、Al2O3、GaN、AlN中任意一種空殼，所述的薄膜為Ag薄膜或者Au薄膜；所述的表面增強拉曼散射襯底的制備方法包括以下步驟：1)自組裝聚苯乙烯納米球陣列模板；2)利用反應離子刻蝕系統調節陣列模板；3)在陣列模板上沉積ZnO、TiO2、Al2O3、GaN、AlN中任意一種；4)在氮氣氛圍內退火；5)在退火后的陣列模板上沉積Ag薄膜或者Au薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種表面增強拉曼散射襯底，其特征在于：所述的復合微腔結構附著在襯底上。
3.根據權利要求2所述的一種表面增強拉曼散射襯底，其特征在于：所述的襯底為硅片、石英片、藍寶石片或玻璃中的任何一種。
4.一種權利要求1或2所述的表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)自組裝聚苯乙烯納米球陣列模板；2)利用反應離子刻蝕系統調節陣列模板；3)在陣列模板上沉積ZnO、TiO2、Al2O3、GaN、AlN中任意一種；4)在氮氣氛圍內退火；5)在退火后的陣列模板上沉積Ag薄膜或者Au薄膜。
5.根據權利要求4所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：所述的自組裝聚苯乙烯納米球陣列模板，其納米球直徑為200nm-2000nm，自組裝方法為旋涂、滴涂或提拉的任何一種。
6.根據權利要求4所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：所述的反應離子刻蝕系統的射頻功率為60-80W，O2流量為1-2.5L/min，刻蝕時間為1-120s。
7.根據權利要求4所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：所述反應離子刻蝕系統調節陣列模板，調整后陣列間隙尺寸為10nm-200nm。
8.根據權利要求4所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：步驟3)和4)所述的在陣列模板上沉積的方法為磁控濺射、電子束蒸發、熱蒸發或原子層沉積(ALD)中任何一種。
9.根據權利要求8所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：所述的磁控濺射技術沉積ZnO、TiO2、Al2O3中任意一種的條件為：功率80W，通入氬氣與氧氣比例體積為1:1，襯底旋轉不加熱，壓強1Pa。
10.根據權利要求8所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：所述的磁控濺射技術沉積GaN或AlN的條件為：功率80W，通入氬氣與氮氣比例體積為1:1，襯底旋轉不加熱，壓強1Pa。
11.根據權利要求8所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：所述的磁控濺射技術沉積Ag薄膜或者Au薄膜的條件為：功率80W，襯底旋轉不加熱，氬氣氛圍，壓強1Pa。
12.根據權利要求4所述的一種表面增強拉曼散射襯底的制備方法，其特征在于：所述的氮氣氛圍內退火的溫度為300-800℃。
13.根據權利要求1或2所述的一種表面增強拉曼散射襯底，其特征在于：所述的襯底用于檢測β-興奮劑和對巰基苯胺。
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