[發明專利]晶圓熱處理的方法有效
| 申請號： | 201610120562.9 | 申請日： | 2016-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN107154353B | 公開（公告）日： | 2020-01-24 |
| 發明（設計）人： | 肖德元;張汝京 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 金華 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱處理 方法 | ||
1.一種晶圓熱處理的方法，其特征在于，包括：
將至少一晶圓置于一含有一無氧混合氣體的環境中，對該至少一晶圓的一表面進行一快速升溫處理，使該至少一晶圓升溫至一預定高溫，該無氧混合氣體包含氘氣及至少一低活性氣體，部分的所述氘氣以間隙式雜質型態存在于所述晶圓中，以減緩半導體器件使用過程中的去鈍化現象；及
在該至少一晶圓升溫至該預定高溫之后，將該至少一晶圓置于一含有一含氧氣體的環境中，對該至少一晶圓的一表面進行一快速降溫處理；
其中，該快速升溫處理是以介于600℃/sec至800℃/sec的一溫度梯度升溫，該快速降溫處理是以介于50℃/sec至150℃/sec之間的另一溫度梯度從該預定高溫降溫，該預定高溫是介于1200℃至1400℃之間。
2.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該至少一低活性氣體包括氬氣和氮氣。
3.如權利要求2所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該無氧混合氣體中氬氣的氣體分壓介于1％至99％之間。
4.如權利要求2所述的該晶圓熱處理的方法，其特征在于，該無氧混合氣體中氮氣的氣體分壓介于1％至99％之間。
5.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該無氧混合氣體中氘氣的氣體分壓介于1％至99％之間。
6.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該含氧氣體包含氧氣，該氧氣的氣體分壓介于10％至100％之間。
7.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該含氧氣體中包含氧氣及含氮氣體，該氧氣的氣體分壓介于1％至99％之間，且該含氮氣體的氣體分壓介于1％至99％之間。
8.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該晶圓中的一氮固溶體濃度是介于1×1012原子/cm3至8×1018原子/cm3之間。
9.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該晶圓中的一氘固溶體濃度是介于1×1012原子/cm3至8×1018原子/cm3之間。
10.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該晶圓的一表面形成深度介于3μm至30μm之間的一無缺陷區，該無缺陷區下的一塊體區形成多個體微缺陷。
11.如權利要求1所述的晶圓熱處理的方法，其特征在于，該將至少一晶圓置于一含有一無氧混合氣體的環境中，對該至少一晶圓的一表面進行一快速升溫處理，使該至少一晶圓升溫至一預定高溫的步驟是在該晶圓經切片形成之后至在該晶圓上制作多個半導體器件的一結構之間執行。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
