[發明專利]一種磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法及其在鈉離子電池上的應用在審
| 申請號： | 201610119485.5 | 申請日： | 2016-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN105779954A | 公開（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發明（設計）人： | 倪世兵;黃鵬 | 申請（專利權）人： | 三峽大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/06;H01M4/58;H01M10/054 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人： | 蔣悅 |
| 地址： | 443002*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁控濺射 法制 gan 導電 基體 復合材料 方法 及其 鈉離子 電池 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法，其特征在于，該復合材料為GaN， 具體制備方法為：
(1)將純度我99.99％GaN靶材和金屬襯底分別安置于濺射腔中，靶材與襯底距離D＝7cm；
(2)對腔體進行抽真空，V≥1×10-7Torr；
(3)對襯底進行加熱，并將其溫度保持在25～700℃；
(4)利用磁控濺射對靶材進行轟擊，在金屬襯底上沉積生長GaN。
2.權利要求1所述的磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法，其特征在于，步驟(4) 是在反應氣體N2流量F＝20sccm，工作氣壓P＝100mTorr；濺射功率W＝200w的條件下 沉積時間20～200min后得到的。
3.權利要求1所述磁控濺射法制備GaN/導電基體復合材料的方法，其特征在于，所述的金 屬襯底為銅箔、鎳箔、泡沫銅、泡沫鎳、預沉積石墨烯緩沖層的銅箔、鎳箔、泡沫銅或泡沫 鎳中的任意一種。
4.權利要求1-3任一項所述的磁控濺射法制備的GaN/導電基體復合材料在鈉離子電池上的 應用。
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