[發明專利]晶閘管過零控制裝置在審
| 申請號: | 201610117835.4 | 申請日: | 2016-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN105610176A | 公開(公告)日: | 2016-05-25 |
| 發明(設計)人: | 郭橋石;郭榮劍;賴斌龍;鄧達 | 申請(專利權)人: | 廣州市金矢電子有限公司 |
| 主分類號: | H02J3/18 | 分類號: | H02J3/18;H02M1/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 511447 廣東省廣州市番禺*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶閘管 控制 裝置 | ||
1.一種晶閘管過零控制裝置,其特征是:其包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、一限流元件;所述第一晶體管的輸出回路串聯在所需觸發的晶閘管的觸發回路中,所述第二晶體管的控制端與所述第三晶體管的輸入端相連,所述第二晶體管的輸入端與所述第三晶體管的控制端相連而構成一并聯電路,所述并聯電路的一端通過所述限流元件與所述晶閘管的第二陽極連接,所述并聯電路的另一端與所述晶閘管的第一陽極連接,所述第二晶體管的輸出端、所述第三晶體管的輸出端與所述第一晶體管的控制端連接。
2.根據權利要求1所述的晶閘管過零控制裝置,其特征是:所述限流元件為一電阻。
3.根據權利要求1所述的晶閘管過零控制裝置,其特征是:所述第一晶體管的集電極、所述第一晶體管的發射極串聯在所述觸發回路中,所述第二晶體管的發射極與所述第三晶體管的基極連接,所述第二晶體管的基極與所述第三晶體管的發射極連接,所述第二晶體管的集電極、所述第三晶體管的集電極與所述第一晶體管的基極連接,所述第二晶體管的基極與所述第一陽極連接,所述第二晶體管的發射極通過所述限流元件與所述第二陽極連接。
4.根據權利要求3所述的晶閘管過零控制裝置,其特征是:所述第一晶體管為PNP型三極管,所述第二晶體管為PNP型三極管,所述第三晶體管為PNP型三極管,所述第一晶體管的發射極與所述晶閘管的觸發極連接。
5.根據權利要求4所述的晶閘管過零控制裝置,其特征是:還包括第二電阻、第三電阻、第四電阻,所述第二電阻的兩端與所述第二晶體管的基極、所述第二晶體管的發射極連接,所述第三電阻的兩端與所述第一晶體管的基極、所述第一晶體管的發射極連接,所述第四電阻的兩端分別與所述第一晶體管的基極、所述第一晶體管的集電極連接。
6.根據權利要求5所述的晶閘管過零控制裝置,其特征是:所述第二晶體管、所述第三晶體管檢測到所述第一陽極與所述第二陽極之間存在電位差,控制所述第一晶體管截止。
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