[發明專利]導電薄膜

有效

• 申請號: 201610116621.5
• 申請日: 2013-05-22
• 公開（公告）號: CN105755430B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 馮孝攀
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/24;C23C28/04
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種導電薄膜，其特征在于，包括層疊的ZnO:R³⁺層及V₂O₅層，其中，R為鋁元素，鎵元素和銦元素中的一種；

所述導電薄膜采用以下步驟制備而成：

將ZnO:R³⁺靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，其中，磁控濺射鍍膜設備的真空腔體的真空度為1.0×10^‐3Pa～1.0×10^‐6Pa；

在所述襯底表面濺鍍ZnO:R³⁺層，濺鍍所述ZnO:R³⁺層的工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，激光的能量為80W～300W，壓強為3Pa～30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，得到負載有ZnO:R³⁺薄膜的襯底；

再將所述負載有ZnO:R³⁺薄膜的襯底和V₂O₅靶材放入蒸鍍設備中，其中，所述蒸鍍設備的真空腔體的真空度為1.0×10^‐3Pa～1.0×10^‐6Pa,

在所述ZnO:R³⁺層表面蒸鍍V₂O₅層，蒸鍍所述V₂O₅層的工藝參數為：襯底與靶材的間距為45mm～95mm，蒸發溫度為400～950℃，蒸發速率為0.5～5nm/s；及

剝離所述襯底得到所述導電薄膜。

2.根據權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于，所述ZnO:R³⁺層是納米線結構的導電薄膜，所述納米線直徑為30nm～400nm。

3.根據權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于，所述ZnO:R³⁺層的厚度為50nm～800nm，所述V₂O₅層的厚度為0.5nm～10nm。

4.根據權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于，所述ZnO:R³⁺靶材由以下步驟得到：將ZnO和R₂O₃粉體按照質量比為(0.5～10)：(90～99.5)混合均勻，其中，R₂O₃為三氧化二鋁、三氧化二鎵及氧化銦中的一種，將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結制成靶材。