[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理方法及襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201610115780.3
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號: CN105734531B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 廣瀨義朗;佐野敦;渡橋由悟;橋本良知;島本聰
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: C23C16/36
• 分類號: C23C16/36;C23C16/455;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;王大方

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括通過進行規定次數如下循環而在襯底上形成包含規定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，該循環包括如下工序：

向處理室內的襯底供給包含規定元素和鹵素的原料氣體的工序，

向所述處理室內的所述襯底供給由碳、氮及氫這3種元素構成的、且在1分子中碳原子的數量比氮原子的數量多的第一反應氣體的工序，

向所述處理室內的所述襯底供給氮化氣體作為第二反應氣體的工序，和

向所述處理室內的所述襯底供給氧化氣體作為第三反應氣體的工序，

并且使供給所述第一反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力比供給所述原料氣體的工序中的所述處理室內的壓力大。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體包含選自胺及有機肼中的至少一種。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二反應氣體包含選自NH₃氣體、N₂H₂氣體、N₂H₄氣體及N₃H₈氣體中的至少一種。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第三反應氣體包含選自O₂氣體、N₂O氣體、NO氣體、NO₂氣體、O₃氣體、H₂氣體+O₂氣體、H₂氣體+O₃氣體、H₂O氣體、CO氣體及CO₂氣體中的至少一種。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體、所述第二反應氣體及所述第三反應氣體分別利用非等離子體被熱活化、從而被供給至所述襯底。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在供給所述第二反應氣體的工序中，在利用所述氮化氣體產生的反應成為不飽和的條件下，供給所述氮化氣體。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在供給所述第三反應氣體的工序中，在利用所述氧化氣體產生的反應成為不飽和的條件下，供給所述氧化氣體。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

供給所述第一反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力以及供給所述第二反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力分別比供給所述原料氣體的工序中的所述處理室內的壓力大。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

供給所述第一反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力以及供給所述第三反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力分別比供給所述原料氣體的工序中的所述處理室內的壓力大。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

供給所述第一反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力、供給所述第二反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力以及供給所述第三反應氣體的工序中的所述處理室內的壓力分別比供給所述原料氣體的工序中的所述處理室內的壓力大。

11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述循環包含進行規定次數下述組合的工序，所述組合包含供給所述原料氣體的工序和供給所述第一反應氣體的工序。

12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述循環包含進行規定次數下述組合的工序，所述組合包含供給所述原料氣體的工序、供給所述第一反應氣體的工序和供給所述第二反應氣體的工序。