[發(fā)明專利]電力存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610115206.8
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN105591074B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01M4/134
• 分類號: H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/0525
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸蔚

1.一種電極，其包括：

集電器；

位于所述集電器上的硅化物；

位于所述硅化物上的金屬氧化物；

位于所述金屬氧化物上的含有硅的活性材料層；和

位于所述活性材料層上的含有鈦的導(dǎo)電層，

其中所述硅化物包含硅和所述集電器所含有的金屬元素，

其中所述金屬元素為選自鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢和鎳。

2.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，所述導(dǎo)電層與所述活性材料層接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，所述集電器包含鈦。

4.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度大于或等于0.1nm但小于或等于10nm。

5.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，在所述活性材料層與所述集電器之間形成所述硅化物。

6.如權(quán)利要求1所述的電極，其特征在于，所述活性材料層包含鋰。

7.一種能量儲存裝置，其包括：

負電極，其包括：

負電極集電器；

位于所述負電極集電器上的硅化物；

位于所述硅化物上的金屬氧化物；

位于所述金屬氧化物上的含有硅的負電極活性材料層；和

位于所述負電極活性材料層上的含有鈦的導(dǎo)電層；以及

面對所述負電極的正電極，并且在所述正電極和所述負電極之間有電解質(zhì)，

其中所述硅化物包含硅和所述集電器所含有的金屬元素，并且

其中所述金屬元素為選自鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢和鎳。

8.一種能量儲存裝置，其包括：

負電極，其包括：

負電極集電器；

位于所述負電極集電器上的硅化物；

位于所述硅化物上的金屬氧化物；

位于所述金屬氧化物上的含有硅的負電極活性材料層；和

位于所述負電極活性材料層上的含有鈦的導(dǎo)電層；以及

面對所述負電極的正電極，并且在所述正電極和所述負電極之間有電解質(zhì)，

其中所述負電極活性材料層包括多個晶體硅的晶須，

其中所述硅化物包含硅和所述集電器所含有的金屬元素，并且

其中所述金屬元素為選自鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢和鎳。

9.如權(quán)利要求7或8所述的能量儲存裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電層與所述負電極活性材料層接觸。

10.如權(quán)利要求7或8所述的能量儲存裝置，其特征在于，所述負電極集電器包含鈦。

11.如權(quán)利要求7或8所述的能量儲存裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度大于或等于0.1nm但小于或等于10nm。

12.如權(quán)利要求7或8所述的能量儲存裝置，其特征在于，在所述負電極活性材料層與所述導(dǎo)電層之間形成所述硅化物。

13.如權(quán)利要求7或8所述的能量儲存裝置，其特征在于，所述負電極活性材料層包含鋰。

14.一種制造電極的方法，該方法包括以下步驟：

在集電器上形成含有硅的活性材料層；和

在所述活性材料層上形成含有鈦的導(dǎo)電層，

其中在所述活性材料層與所述集電器之間形成硅化物，

其中在所述活性材料層與所述硅化物之間形成金屬氧化物；

其中所述硅化物包含硅和所述集電器所含有的金屬元素，并且

其中所述金屬元素為選自鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢和鎳。

15.如權(quán)利要求14所述的制造電極的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層與所述活性材料層接觸。