[發明專利]襯底處理裝置、半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201610115049.0
• 申請日: 2016-03-01
• 公開（公告）號: CN107026101A
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 高橋哲;豐田一行
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/324
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 陳偉,孫明軒

1.一種襯底處理裝置，其特征在于，具有：

第一處理室，其具有加熱第一襯底的第一加熱部、處理所述第一襯底的第一處理空間、配置在所述第一處理空間的下方的第一輸送空間、以及構成所述第一處理空間和所述第一輸送空間的壁；

第二處理室，其具有隔著作為所述壁的一部分的共用壁而與所述第一處理室相鄰并加熱第二襯底的第二加熱部、處理所述第二襯底的第二處理空間、以及配置在所述第二處理空間的下方的第二輸送空間；

其他壁，其在構成所述第一處理室和所述第二處理室的壁中構成與所述共用壁不同的壁；

冷卻流路，其設置于所述共用壁和所述其他壁，以使所述共用壁的冷卻效率比所述其他壁高的方式構成。

2.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述冷卻流路具有從上游按順序連續地構成的上層側貫穿配管部、上層側外周配管部、下層側貫穿配管部和下層側外周配管部，

所述上層側貫穿配管部和所述下層側貫穿配管部設置于所述共用壁，所述上層側外周配管部和所述下層側外周配管部設置于所述其他壁。

3.如權利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述共用壁中的每單位長度的冷卻流路的表面積比所述其他壁的每單位長度的冷卻流路的表面積大。

4.如權利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的上游端連接在供給熱媒的配管上，下游端連接在排出熱媒的配管上，所述上游側的配管配置于所述共用壁。

5.如權利要求4所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的上端設在比所述第一加熱部或所述第二加熱部的下端低的位置。

6.如權利要求5所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流 路的下端設在比設于所述其他壁的密閉部件高的位置。

7.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述共用壁中的每單位長度的冷卻流路的表面積比所述其他壁的每單位長度的冷卻流路的表面積大。

8.如權利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的上游端連接在供給熱媒的配管上，下游端連接在排出熱媒的配管上，所述上游側的配管配置于所述共用壁。

9.如權利要求8所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的上端設在比所述第一加熱部或所述第二加熱部的下端低的位置上。

10.如權利要求9所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的下端設在比設于所述其他壁的密閉部件高的位置。

11.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的上游端連接在供給熱媒的配管上，下游端連接在排出熱媒的配管上，所述上游側的配管配置于所述共用壁。

12.如權利要求11所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的上端設在比所述第一加熱部或所述第二加熱部的下端低的位置。

13.如權利要求12所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述冷卻流路的下端設在比設于所述其他壁的密閉部件高的位置。

14.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，在所述共用壁上設有溫度傳感器。

15.如權利要求14所述的襯底處理裝置，其特征在于，設在所述共用壁上的溫度傳感器具有檢測所述第二冷卻流路中的設在上層側的流路附近的溫度的溫度傳感器、和檢測設在下方的流路附近的溫度的溫度傳感器。

16.如權利要求15所述的襯底處理裝置，其特征在于，在所述其他壁上設有溫度傳感器。

17.如權利要求15所述的襯底處理裝置，其特征在于，設在所述 共用壁上的溫度傳感器在垂直方向上設在所述冷卻流路的上端和下端之間。

18.如權利要求14所述的襯底處理裝置，其特征在于，在所述其他壁上設有溫度傳感器。

19.如權利要求14所述的襯底處理裝置，其特征在于，設在所述共用壁上的溫度傳感器在垂直方向上設在所述冷卻流路的上端和下端之間。

20.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

將襯底送入至第一處理室，并且將襯底送入至第二處理室的工序，所述第一處理室具有加熱第一襯底的第一加熱部、處理所述第一襯底的第一處理空間、配置在所述第一處理空間的下方的第一輸送空間、以及構成所述第一處理空間和所述第一輸送空間的壁，所述第二處理室具有隔著作為所述壁的一部分的共用壁而與所述第一處理室相鄰并加熱第二襯底的第二加熱部、處理所述第二襯底的處理空間、以及配置在所述第二處理空間的下方的第二處理空間；和

在構成所述第一處理室和所述第二處理室的壁中，使所述共用壁的冷卻效率高于構成與所述共用壁不同的壁的其他壁的冷卻效率的狀態下，在所述第一處理室和所述第二處理室中處理襯底的工序。